一种用于产生磁场的磁体设备。所述磁体设备包括：第一磁体（２０），所述第一磁体具有限定第一磁极的第一表面和限定与所述第一磁极相反的第二磁极的第二表面，和第二磁体（２２），所述第二磁体具有限定第三磁极的第三表面和限定与所述第三磁极相反的第四磁极的第四表面。所述第二表面比所述第一表面具有更高的磁通密度。所述第三表面比所述第四表面具有更高的磁通密度。所述第二磁体与所述第一磁体间隔开以在所述第二表面和所述第三表面之间限定第一间隙。所述磁场的磁力线（４６）从所述第一表面到所述第二表面、通过所述第一间隙从所述第二表面到所述第三表面、并且从所述第三表面到所述第四表面延伸。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种磁体组件，并且更加具体地涉及一种用于在磁场中产生周期性变 化的永磁体组件。可以例如在磁性制冷装置中使用所述永磁体组件。
技术介绍
磁性制冷装置通常包括磁体和磁致热材料。典型地使磁体相对于磁致热材料以 交替方式移动，使得当磁体移动得更近时，磁致热材料经历增加的磁场，从而加热磁致热材 料，并且当磁体移动得更远时，磁致热材料经历降低的磁场，从而冷却磁致热材料。典型地， 当磁场增加时使热传递流体经过磁致热材料以从磁致热材料吸收热量，并且热传递流体然 后被引导到将热量释放到大气的热交换器。然后，当磁场降低时使热传递流体经过磁致热 材料以将热量给予磁致热材料，并且热传递流体被引导到另一热交换器以从正被循环到冷 却空间中的空气移除热量。
技术实现思路
在一个方面，本专利技术提供一种用于产生磁场的磁体设备。所述磁体设备包括第一 磁体，所述第一磁体具有限定第一磁极的第一表面和限定与第一磁极相反的第二磁极的第 二表面；和第二磁体，所述第二磁体具有限定第三磁极的第三表面和限定与第三磁极相反 的第四磁极的第四表面。第二表面具有比第一表面更高的磁通密度。第三表面具有比第四 表面更高的磁通密度。第二磁体与第一磁体间隔开以在第二表面和第三表面之间限定第一 间隙。磁场的磁力线从第一表面到第二表面、通过第一间隙从第二表面到第三表面并且从 第三表面到第四表面延伸。在另一个方面，本专利技术提供一种磁体设备。所述磁体设备包括第一磁体和第二磁 体，所述第二磁体与所述第一磁体间隔开以在第一磁体和第二磁体之间限定第一间隙。第 一磁体和第二磁体产生包括以下磁力线的磁场，所述磁力线在第一磁体中会聚、通过在第 一磁体和第二磁体之间的间隙延伸并且在第二磁体中发散。在另一个方面，本专利技术提供一种磁体。所述磁体包括限定第一磁极的第一表面和 限定第二磁极的第二表面，第二表面与第一表面间隔开。磁通密度从第一表面到第二表面 增加，并且所述磁体在沿着第一平面截取的第一截面中包括基本弓形的形状，并且在沿着 基本垂直于第一平面的第二平面截取的第二截面中包括基本梯形的形状。通过考虑详细说明和附图，本专利技术的其它方面将变得明显。附图说明图1是根据本专利技术一个实施例的磁性制冷装置的透视图。图2是磁性制冷装置的外部磁轭已被移除的、图1所示磁性制冷装置的透视图。图3是图1的磁性制冷装置的内部磁轭的透视图。图4是图3的内部磁轭的顶视图。图5是沿着图4中的线5-5截取的截面视图。图6是图1的外部磁轭的透视图。图7是图6的外部磁轭的顶视图。图8是沿着图7中的线8-8截取的截面视图。图9是图1的磁性制冷装置的端板的透视图。图10是图9的端板的顶视图。图11是沿着图10中的线11-11截取的截面视图。图12是图1的磁性制冷装置的外部永磁体的透视图。图13是图12的外部永磁体的顶视图。图14是图12的外部永磁体的前视图。图15是图12的外部永磁体的侧视图。图16是图1的磁性制冷装置的内部永磁体的透视图。图17是图16的内部永磁体的前视图。图18是图16的内部永磁体的侧视图。图19是图16的内部永磁体的顶视图。图20是示出磁场矢量的、图2的磁性制冷装置的透视图。图21是包括示出磁场矢量的箭头的、通过中间截取的图1所示磁性制冷装置的截 面顶视图。图22是包括磁场矢量的、图1所示磁性制冷装置的截面侧视图。图23是在距装置中心固定的径向距离处当磁场强度在360度改变时所述磁场强 度的曲线图。图24是包括两个永磁体的磁性制冷装置的另一构造。图25是包括六个永磁体的磁性制冷装置的另一构造。图26是磁性制冷装置的外部磁轭已被移除的、图25所示磁性制冷装置的透视图。图27包括十二个永磁体的磁性制冷装置的另一构造。图28是构成内部永磁体和外部永磁体的各个磁体的顶视图。图29是构成内部永磁体和外部永磁体的各个磁体的透视图。图30是外部永磁体(图20所示)的透视图，示出通过所述外部永磁体的磁场矢 量的方向。具体实施例方式在详细地解释本专利技术的任何实施例之前，应该理解本专利技术在其应用中不限于在下 面的说明中阐述或者在下面的附图中示出的构件的构造和布置的细节。本专利技术能够具有其 它实施例并且被以各种方式实践或者执行。而且，应该理解，在这里使用的措词和术语是用于说明的目的，而不应该被视为限制。“包括”、“包含”或者“具有”及其变化的使用在这里 旨在涵盖此后列出的条目及其等价形式以及另外的条目。除非另外规定或者限制，术语“安 装”、“连接”、“支撑”和“耦接”及其变化被一般性地使用并且涵盖直接和间接安装、连接、支 撑、和耦接。此外，“连接”和“耦接”不限于物理或者机械连接或者耦接。图1和2示出根据本专利技术的一个实施例的磁性制冷装置10。该磁性制冷装置10 包括磁体组件12，磁体组件12具有内部磁轭14、在内部磁轭14外侧同心地布置的外部磁 轭16、耦接内部和外部磁轭14、16的端板18、耦接到内部磁轭14的两个内部永磁体20，和 耦接到外部磁轭16的两个外部永磁体22。可以使用两个端板18，但是任何一个都不是必 须的。磁性制冷装置10还包括磁致热元件组件，磁致热元件组件包括在内部永磁体20和 外部永磁体22之间的间隙内设置的四个磁致热元件24。如图3-5最好地示出地，内部磁轭14是具有与内径C同心的外径B和高度D的柱 形管子。内部磁轭14限定轴线A。在一种构造中，外径B为大致60mm，内径C为大致40mm， 并且高度D为大致270mm。如图6-8最好地示出地，外部磁轭16是具有与内径G同心(围绕轴线A)的外径 F和高度H的柱形管子。在所示出的构造中，外径F为大致280mm，内径G为大致250mm，并 且高度H为大致250mm。如图9-11最好地示出地，端板18是具有与内径K同心(围绕轴线A)的外径J和 厚度L的板状盘。在所示出的构造中，外径J为大致280mm，内径K为大致60mm，并且厚度 L为大致20mm。如图12-15最好地示出地，外部永磁体22包括内表面26、外表面32和侧表面34。 内表面26具有中央表面28和在中央表面28的相对端部处的两个渐缩表面30。外部永磁 体22的高度N、中央表面28的高度P、侧表面34的高度R和S、角度V和宽度Q全部基本 上限定梯形。在所示出的实施例中，梯形是等腰梯形。在其它实施例中，外部永磁体22能 够采取(当从沿着平行于轴线A的平面截取的径向截面观察时)基本上从外表面32到内 表面26会聚的其它形状。内表面26位于距弧U的中心轴线A径向距离T处。在所示出的 构造中，高度N为大致250mm，高度P为大致81. 56mm,高度R为大致125mm，高度S为大致 40. 78mm,角度V为大致24. 6度，并且宽度Q为大致38. 5mm。利用这些尺寸形成的梯形对于 沿着平行于轴线A的平面截取的、外部永磁体22的任何径向截面都是相同的。内表面26 位于距轴线A大致87. 33mm的距离T处，展开大致90度的角度。如图28和29最好地示出地，外部永磁体可以由多个的单独磁体48构成，磁体48 利用环氧树脂、胶水或者其他结合装置结合到一起使得每一个的单独磁体的北极是相邻 的。虽然在所示出的构造中利用一百零八个的单独磁体48构成一个整个磁体，但是可以在 可替代构造中使用更多或更少的单独磁体以实现本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于产生磁场的磁体设备，包括：第一磁体，所述第一磁体具有限定第一磁极的第一表面和限定与所述第一磁极相反的第二磁极的第二表面，其中所述第二表面比所述第一表面具有更高的磁通密度；第二磁体，所述第二磁体具有限定第三磁极的第三表面和限定与所述第三磁极相反的第四磁极的第四表面，其中所述第三表面比所述第四表面具有更高的磁通密度，其中所述第二磁体与所述第一磁体间隔开以在所述第二表面和所述第三表面之间限定第一间隙，并且其中所述磁场的磁力线从所述第一表面到所述第二表面、通过所述第一间隙从所述第二表面到所述第三表面、并且从所述第三表面到所述第四表面延伸。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2007-10-4 60/997,687一种用于产生磁场的磁体设备，包括第一磁体，所述第一磁体具有限定第一磁极的第一表面和限定与所述第一磁极相反的第二磁极的第二表面，其中所述第二表面比所述第一表面具有更高的磁通密度；第二磁体，所述第二磁体具有限定第三磁极的第三表面和限定与所述第三磁极相反的第四磁极的第四表面，其中所述第三表面比所述第四表面具有更高的磁通密度，其中所述第二磁体与所述第一磁体间隔开以在所述第二表面和所述第三表面之间限定第一间隙，并且其中所述磁场的磁力线从所述第一表面到所述第二表面、通过所述第一间隙从所述第二表面到所述第三表面、并且从所述第三表面到所述第四表面延伸。2.根据权利要求1的磁体设备，其中在所述间隙中的磁通密度大于所述第一表面的磁 通密度。3.根据权利要求1的磁体设备，进一步包括第三磁体，所述第三磁体具有限定第五磁极的第五表面和限定与所述第五磁极相反的 第六磁极的第六表面，其中所述第六表面比所述第五表面具有更高的磁通密度，并且其中 所述磁力线从所述第四表面到所述第五表面并且从所述第五表面到所述第六表面延伸；第四磁体，所述第四磁体具有限定第七磁极的第七表面和限定与所述第七磁极相反的 第八磁极的第八表面，其中所述第七表面比所述第八表面具有更高的磁通密度，所述第四 磁体与所述第三磁体间隔开以在所述第六表面和所述第七表面之间限定第二间隙，并且所 述磁力线通过所述第二间隙从所述第六表面到所述第七表面、并且从所述第七表面到所述 第八表面延伸。4.根据权利要求3的磁体设备，其中在所述第二间隙中的磁通密度大于所述第八表面 的磁通密度。5.根据权利要求3的磁体设备，进一步包括第一透磁材料，所述第一透磁材料设置在 所述第二磁体和所述第三磁体之间，以产生用于所述磁力线通过所述第一透磁材料从所述 第四表面到所述第五表面延伸的路径。6.根据权利要求5的磁体设备，进一步包括第二透磁材料，所述第二透磁材料邻近所 述第一表面和所述第八表面设置，以产生用于所述磁力线通过所述第二透磁材料从所述第 一表面到所述第八表面延伸的路径。7.根据权利要求1的磁体设备，其中所述第二表面比所述第一表面具有更小的表面面积。8.根据权利要求1的磁体设备，进一步包括设置在所述第一间隙中的磁致热材料。9.根据权利要求1的...
【专利技术属性】
技术研发人员：张明，塞莎马迪雷迪，
申请(专利权)人：胡斯曼公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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