显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及显示装置，其能够不设置多间隙构造地以反射显示和透过显示两者进行明亮的显示，并且能够减少在反射区域和透过区域在响应时间上产生差异。本发明专利技术的显示装置包括一对基板和夹持在所述基板之间的显示介质，并且在像素内形成有进行反射显示的反射区域和进行透过显示的透过区域，所述显示装置在一个基板上具备像素电极和共用电极，通过所述像素电极和所述共用电极向显示介质施加电压，所述像素电极和所述共用电极设置有狭缝，设置所述狭缝的位置，在像素电极是反射区域和透过区域，在共用电极是反射区域。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及显示装置。更详细地说，涉及能够适宜用于面内开关(IPS; In Plane Switching)模式或边缘场开关(FFS; Fringe FieldSwitching)模式的液晶显示的显示装置。
技术介绍
液晶显示装置等显示装置被广泛利用于监视器、投影仪、便携式电话、便携式信息终端(PDA)等电子设备中。作为液晶显示装置的显示方式，例如，存在反射型、透过型、反射透过两用型。其中，在屋内等比较暗的环境下，主要使用利用背光源的光的透过型的液晶显示装置，在屋外等比较明亮的环境下，主要使用利用周围光的反射型的液晶显示装置。反射透过两用型的液晶显示装置因为能够进行透过显示和反射显示两者，能够在屋内以透过显示为主进行显示，在屋外以反射显示为主进行显示，所以不管屋内外在所有环境下，都可以进行高品位的显示，多搭载在便携式电话、PDA、数码相机等可移动设备中。在反射透过两用型的液晶显示装置中，作为显示模式，例如，使用垂直取向(VA; Vertical Alignment)模式。VA模式是通过当所施加电压断开时液晶分子与基板面垂直取向，当所施加电压接通时使液晶分子倒下进行显示的方式。然而，在反射透过两用型中，因为反射光2次透过液晶层，但是透过光只透过液晶层1次，所以当将单元间隙优化设计为反射光用时，透过光的透过率约为最佳值的1/2。作为对它的解决方法，例如，公开有在反射区域和透过区域中形成使单元间隙不同的多间隙构造，减小反射区域中的液晶层厚度的方法(例如，参照专利文献l)。但是，在该方法中，因为需要在基板上设置凹凸构造，所以构造变得复杂，又因为在制造工序中要求高精度，所以存在进一步下工夫的余地。此外，在反射区域和透过区域中液晶分子的响应时间不同这方面也存在改善的余地。另外在液晶显示装置中，除VA模式外，IPS模式和FFS模式也是众所周知的。IPS模式和FFS模式是由来自设置在一方的基板上的液晶驱动用的电极对的横电场使液晶动作进行显示的方式。在该方式中，因为使液晶分子在横方向(基板平行方向)旋转，所以能够增大视野角。关于IPS模式，也公开有反射透过两用型的液晶显示装置(例如，参照专利文献2)，但是它也具有多间隙构造，并没有解决上述课题。专利文献1:日本特开平11-242226号专利公报专利文献2:日本特开2005-338264号专利公报
技术实现思路
本专利技术鉴于上述现状而提出，本专利技术的目的是提供一种能够不设置多间隙构造地以反射显示和透过显示两者进行明亮的显示，并且能够减少在反射区域和透过区域在响应时间上产生差异的显示装置。本专利技术的专利技术人对能够不设置多间隙构造地以反射显示和透过显示两者进行明亮显示的显示装置进行了各种研讨后，着眼于反射区域和透过区域中的像素电极和共用电极的配置关系。然后，发现即使不设置多间隙构造，通过采用IPS模式、FFS模式等横向电场方式，在像素电极和共用电极上设置狭缝，将像素电极的狭缝设置在反射区域和透过区域，并且将共用电极的狭缝实质上仅设置在反射区域，能够使像素电极和共用电极之间产生的电场强度在反射区域中比在透过区域弱，由此发现能够在反射显示和透过显示中调整光的利用效率，从而想到能够很好地解决上述课题，达到本专利技术。艮口，本专利技术是一种显示装置，其包括一对基板和夹持在上述基板之间的显示介质，并且在像素内形成有进行反射显示的反射区域和进行透过显示的透过区域，上述显示装置在一个基板上具备像素电极和共用电极，通过上述像素电极和上述共用电极向显示介质施加电压，上述像素电极和共用电极设置有狭缝，设置上述狭缝的位置在像素电极是反射区域和透过区域，在共用电极是反射区域(以下，也称为第一显示装置)。以下详细阐述本专利技术。本专利技术的第一显示装置包括一对基板和夹持在上述基板间的显示介质，并且在像素内形成有进行反射显示的反射区域和进行透过显示的透过区域。在本专利技术中，没有特别限定基板的种类和显示介质的种类，例如，能够举出以下方式包括有源矩阵基板和彩色滤光片基板作为一对基板，包括夹持在这些基板之间的液晶层作为显示介质，其中，有源矩阵基板在基板上以扫描配线和信号配线交叉的方式进行配线，并且在其交点具有作为开关元件的TFT;彩色滤光片基板在每个像素具有R (红)G (绿)B (蓝)的着色层。此外，在液晶显示装置中，通常在它们外部设置有偏光板、背光源等。反射显示指的是使周围的光或从设置在显示面侧的前光源射出的光在显示装置内反射而进行显示的方式。透过显示指的是使从背光源射出的光透过进行显示的方式。反射区域和透过区域的大小和它们在像素内占据的比例，没有特别限定。本专利技术因为在1个像素内具有反射区域和透过区域，所以是反射透过两用型的显示装置。本专利技术的显示装置在一个基板上具备像素电极和共用电极，通过上述像素电极和上述共用电极向显示介质施加电压。.向像素电极和共用电极构成的电极对施加电压时，在接近于像素电极和共用电极的显示介质产生平行于基板的横向电场，该电场进行显示介质的控制。在本专利技术中，上述像素电极和共用电极设置有狭缝，设置上述狭缝的位置，在像素电极是反射区域和透过区域，在共用电极是反射区域。目卩，在共用电极设置狭缝实质上仅设置在反射区域，此时，只要是在能够发挥本专利技术的作用效果的程度的范围之内，在透过区域也可以设置共用电极的狭缝。另外，优选共用电极在透过区域整个区域形成的方式。本说明书中的"整个区域形成"是指没有间隙地形成在整个面的情况。由此，本专利技术的显示装置，在反射区域中像素电极和共用电极为IPS模式的结构，在透过区域中像素电极和共用电极为FFS模式的结构。在本说明书中，所谓"IPS模式"是指像素电极和共用电极通过各电极的狭缝相互组合配置的方式。另一方面，"FFS模式"是指在像素电极和共用电极的任意一方设置有狭缝，在另一方实质上没有设置狭缝的方式。向这样的由像素电极和共用电极构成的电极对施加电压时，像素电极和共用电极之间产生横向电场。该电场的强度随9像素电极和共用电极之间距离的增大而减弱。在液晶显示装置的结构上，成为IPS模式的结构的区域的像素电极和共用电极间的距离，能够比成为FFS模式的结构的区域的像素电极和共用电极间的距离容易加大。因此，通过使反射区域中的像素电极和共用电极的结构是IPS模式，透过区域中的像素电极和共用电极的结构是FFS模式，能够使反射区域中的像素电极和共用电极间的电场强度比透过区域中的像素电极和共用电极间的电场强度弱。由于液晶的取向程度根据电场强度而变化，所以可以利用其调节透过液晶中的光的利用效率。并且，像素电极和共用电极的狭缝如果保持一定的宽度，则其形状没有特别限定。另外，因为在一个像素构成IPS模式和FFS模式，所以像素电极和共用电极夹着绝缘膜等设置在不同的层。作为上述共用电极的优选方式，例如可以举出在反射区域为梳齿状的方式。通过形成梳齿状，在像素电极与共用电极之间，能够高密度地形成横电场，能够高精度地控制显示介质。作为在上述共用电极形成的狭缝的优选方式，例如可以举出周围全部被共用电极包围的方式、长方形的方式、长方形至少弯曲1次的形状的方式、锯齿形状的方式、圆弧状的方式、蛇行状的方式。基于这样的方式，在像素电极和共用电极之间能够高密度地形成横电场，能够高精度地控制显示介质。作为上述像素电极的优选方式，例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置，其包括一对基板和夹持在该基板间的显示介质，并且在像素内形成有进行反射显示的反射区域和进行透过显示的透过区域，其特征在于：　该显示装置在一个基板上具备像素电极和共用电极，通过该像素电极和该共用电极向显示介质施加电压，该像素电极和共用电极设置有狭缝，　设置该狭缝的位置，在像素电极是反射区域和透过区域，在共用电极是反射区域。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：西田贤治，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]