控制门线架构制造技术

一种非易失性存储系统，通过具有用于凭借字线控制而需要字线的未被选字线的子集的单独可控驱动器的有限集合，该非易失性存储系统包括比字线更少的字线驱动器，并且使其余字线连接到公共源。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于非易失性存储的技术。
技术介绍
对于在各种电子设备中的使用而言，半导体存储器已经变得更流行。例如，非易失 性半导体存储器被用于蜂窝电话、数码相机、个人数字助理、移动计算设备、非移动计算设 备和其它设备中。电可擦除只读存储器(EEPROM)和闪速存储器是其中最流行的非易失性 半导体存储器。EEPROM和闪速存储器二者皆利用了位于半导体衬底中沟道区域之上并且与之隔 离的浮置门。浮置门位于源极区域与漏极区域之间。控制门设在浮置门之上，并且与之隔 离。晶体管的阈值电压受浮置门上保留的电荷量的控制。也就是说，在晶体管导通以允许 其源极与漏极之间的传导之前必须施加到控制门的电压的最小量受浮置门上的电荷级别 控制。因此，可以通过改变浮置门上的电荷级别从而改变阈值电压来对存储器单元(其可 以包括一个或多个晶体管)进行编程和/或擦除。当对EEPROM或闪速存储器设备(例如NAND闪速存储器设备)进行编程时，通常 将编程电压施加到控制门，并且比特线接地。来自沟道的电子得以被注入浮置门。当电子 在浮置门中累积时，浮置门变为负向充电，并且存储器单元的阈值电压升高，从而存储器 单元处于被本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性存储装置，包括：第一多个非易失性存储元件；第一控制线集合，其与所述第一组非易失性存储元件通信；第一信号源；单独受控信号源集合；第一桥电路，其与所述第一控制线集合、所述单独受控信号源集合以及所述第一信号源通信，所述第一桥电路单独且有选择地将所述第一控制线集合中的每一控制线连接到所述第一信号源或者所述单独受控信号源集合中的一个信号源；以及控制电路，其与所述第一桥电路通信。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：美轮取，
申请(专利权)人：桑迪士克股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]