闪存装置及其字线使能方法制造方法及图纸

在一个方面，闪存装置中的字线使能方法包括用字线电压驱动对应于所选字线的信号线，并且在编程执行周期期间，逐步地增加连接在所选字线和信号线之间的开关晶体管的栅极电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术通常涉及半导体存储器装置，更特别地，本专利技术涉及编程闪存装置的方法和使能闪存装置的字线的方法。
技术介绍
闪存装置，作为快闪EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)而被人们所熟知，典型地包括由浮置栅晶体管组成的存储器单元阵列。在NAND型闪存装置中，所述阵列包括串联所述浮置栅晶体管的串(或者“NAND串”)，且每个NAND串在串选择晶体管和接地选择晶体管之间被串联连接。多数字线与所述NAND串相交并且被连接到相应的浮置栅晶体管的控制栅。在初始被擦除状态中，浮置栅晶体管，例如，存储器单元具有较低的阈值电压(例如，-3V)。为了编程给定的存储器单元，高压(例如，20V)在预定的时间周期被施加到所选存储器单元的字线上，以使所选存储器单元具有更高的阈值电压。同时，未选存储器单元的阈值电压并未改变。当编程所选存储器单元时，出现了潜在的问题。就是当编程电压被施加到所选存储器单元的字线时，相同的电压也被施加到被连接在同一字线的未选存储器单元，因此，被连接到所述字线的未选存储器单元，尤其，邻近所选存储器单元的存储器单元或者多个单元可能被非有意地编程。如此对一个或多个未选存储器单元的非本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种闪存装置中的字线使能方法，包括用字线电压驱动对应于所选字线的信号线，并且在编程执行周期期间，逐步地增加连接在所选字线和所述信号线之间的开关晶体管的栅极电压。

【技术特征摘要】
KR 2005-11-17 109999/051.一种闪存装置中的字线使能方法，包括用字线电压驱动对应于所选字线的信号线，并且在编程执行周期期间，逐步地增加连接在所选字线和所述信号线之间的开关晶体管的栅极电压。2.如权利要求1所述的字线使能方法，其中，所述字线电压包括通过电压和编程电压之一。3.如权利要求1所述的字线使能方法，其中，所述开关晶体管是闭塞选择晶体管。4.如权利要求1所述的字线使能方法，其中，所述编程执行周期包括通过电压使能周期和编程电压使能周期。5.如权利要求4所述的字线使能方法，其中，逐步地增加所述栅极电压包括逐步地增加所述开关晶体管的棚极电压直到第一电压，从而在所述通过电压使能周期期间，通过电压作为所述字线电压被传送到所选字线；以及逐步地增加所述开关晶体管的栅极电压直到高于第一电压的第二电压，从而在所述编程电压使能周期期间，编程电压作为所述字线电压被传送到所选字线。6.如权利要求5所述的字线使能方法，其中，所述第一电压高于所述通过电压，而所述第二电压高于所述编程电压。7.如权利要求1所述的字线使能方法，其中，所述栅极电压是闭塞字线电压。8.一种闪存装置中的字线使能方法，包括产生高于字线电压的高压；用所述字线电压驱动对应于所选字线的信号线；在编程执行周期期间，响应于所述高压而产生逐步增加的闭塞字线电压；以及响应于逐步增加的闭塞字线电压，用所述信号线的字线电压驱动所选字线。9.如权利要求8所述的字线使能方法，进一步包括用所述字线电压驱动对应于各个未选字线的信号线。10.如权利要求9所述的字线使能方法，其中，所述字线电压是通过电压。11.如权利要求8所述的字线使能方法，其中，所述编程执行周期包括通过电压使能周期和编程电压使能周期。12.如权利要求11所述的字线使能方法，其中，在所述通过电压使能周期期间，用作为所述字线电压的通过电压驱动对应于所选字线和未选字线的信号线。13.如权利要求12所述的字线使能方法，其中，在所述通过电压使...

【专利技术属性】
技术研发人员：金镇国，李真烨，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]