一种具有高电阻率和低损耗的纳米晶锰锌铁氧体材料及其制备方法技术

技术编号:5321995 阅读:327 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种具有高电阻率和低损耗的纳米晶锰锌铁氧体材料,该纳米晶MnZn铁氧体材料的化学式可以表示为:MnxZn1-xLayFe2-yO4,其中0.2≤x≤0.8,0.1≤y≤0.4,该发明专利技术的纳米晶MnZn铁氧体材料的颗粒尺寸10~25nm,室温电阻率高达3.2×103Ωm,高频损耗仅有70mW/cm3(100℃;50mT;500kHz)。此外,本发明专利技术中制备工艺简单可控,成本低廉,易于进行批量生产,制备出的纳米晶MnZn铁氧体可以广泛应用于通信、自动控制、电子设备等领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种锰锌铁氧体材料,尤其涉及一种具有高电阻率和低损耗的纳米晶 锰锌铁氧体材料,属于氧化物磁性材料
本专利技术还涉及一种具有高电阻率和低损 耗的纳米晶锰锌铁氧体材料的制备方法。
技术介绍
尖晶石结构的锰锌铁氧体由于其具有高电阻率、高磁导率、低损耗、低成本等优 势,因而广泛应用于各种电力电子器件中,特别是一些高频器件中。锰锌铁氧体的性能与其 微观结构密不可分,而微观结构依赖于化学成分及其制备工艺。近年来,随着纳米技术的迅 猛发展,纳米材料因其具有特殊的表面效应、体积效应和量子隧道效应等等受到了人们的 极大关注,一些纳米晶MnSi铁氧体相继被开发出来。在纳米晶MnSi铁氧体的制备方法中, 高能球磨法与共沉淀法、溶胶-凝胶法、水热法等方法相比具有工艺简单、成分配比易于控 制、产量大、成本低廉的优点因而被广泛使用,并实现了产业化。然而,电力电子器件高频 化、小型化、轻薄化的发展趋势给纳米晶MnSi铁氧体提出了更高的要求,希望其具有高电 阻率和高频低损耗特性。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种具有高电阻率和低损耗的纳米晶锰锌铁 氧体材料及其制备方法。为解决本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有高电阻率和低损耗的纳米晶锰锌铁氧体材料,其特征在于:该纳米晶锰锌铁氧体材料的化学式表示为:Mn↓[x]Zn↓[1-x]La↓[y]Fe↓[2-y]O↓[4],其中0.2≤x≤0.8,0.1≤y≤0.4。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:魏瑞明戴建中邹仲鹤陆静军
申请(专利权)人:苏州天铭磁业有限公司
类型:发明
国别省市:32[中国|江苏]

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