太阳能电池制造技术

技术编号:5236904 阅读:144 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及太阳能电池。该太阳能电池包括第一导电类型的基板;位于所述基板上的与所述第一导电类型相反的第二导电类型的射极区;与所述射极区隔开地位于所述基板上的所述第一导电类型的第一场区;电连接到所述射极区的第一电极;电连接到所述第一场区的第二电极;以及位于所述射极区和所述第一场区中的至少一个上的绝缘区。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池
本专利技术的实施方式涉及太阳能电池。技术背景近来,由于认为现有能源(如石油和煤)是会被耗尽的,因此对于代替现有能源的 另选能源越来越感兴趣。在这些另选能源中,从太阳能产生电能的太阳能电池尤其受到关注。太阳能电池通常包括具有不同导电类型(例如ρ型和η型)并且形成ρ-η结的半 导体部分、和分别连接到不同导电类型的半导体部分的电极。当光入射到太阳能电池上时,在半导体部分中产生多个电子-空穴对。通过光电 效应,电子-空穴对分离成电子和空穴。因此,分离的电子移动到η型半导体,分离的空穴 移动到P型半导体,随后分别通过电连接到η型半导体和ρ型半导体的电极来收集这些电 子和空穴。这些电极使用电线而彼此连接并因此获得电能。
技术实现思路
在一方面,存在一种太阳能电池,该太阳能电池包括第一导电类型的基板;位于 所述基板上的与所述第一导电类型相反的第二导电类型的射极区;位于所述基板上并与所 述射极区分隔开的所述第一导电类型的第一场区(field region);电连接到所述射极区的 第一电极;电连接到所述第一场区的第二电极;以及位于所述射极区和所述第一场区中的 至少一个上的绝缘区。当所述绝本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池,该太阳能电池包括:第一导电类型的基板;位于所述基板上的与所述第一导电类型相反的第二导电类型的射极区;与所述射极区隔开地位于所述基板上的所述第一导电类型的第一场区;电连接到所述射极区的第一电极;电连接到所述第一场区的第二电极;以及位于所述射极区和所述第一场区中的至少一个上的绝缘区。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:池光善李宪民慎熩祯崔元硕崔正薰梁贤真
申请(专利权)人:LG电子株式会社
类型:发明
国别省市:KR[韩国]

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