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用于磁悬浮的永磁干扰波制造技术

技术编号:5228794 阅读:237 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术的用于磁悬浮的永磁干扰波是由大磁环(1)、大磁环(2)、超长小磁环(3)、小磁环(4)、大磁环干扰波(5)和小磁环干扰波(6)等组成;大磁环(1)与大磁环(2)同极端面相对,接触排列,产生大磁环干扰波(5);超长小磁环(3)与小磁环(4)同极端面相对,接触排列,产生小磁环干扰波(6);大磁环干扰波(5)套在小磁环干扰波(6)的外侧,超长小磁环(3)部分套在大磁环(1)内;将两个上述结构对称安装,就是一个完整的磁悬浮轴承。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于磁悬浮的永磁干扰波,这种永磁干扰波是两个磁块极性相对 平行排列,使两个磁块同极端面接触,此时接触端的侧面会产生一个干扰波,这种干扰波高 密度,发射距离短,是一种有两个永磁场相互干扰形成的新型磁场。属于磁悬浮

技术介绍
目前,永磁学理论中主要重视磁路的研究,同时也非常重视永磁体自身磁场的研 究,缺少对永磁场之间相互干扰的研究。由于永磁材料的自然磁场发射距离长、密度比较 低,就不能适应磁悬浮的高强度对称挤压悬浮要求。通过让两个同极永磁场相互干扰,就会 在其端面外侧会产生一个高密度干扰波。这种干扰波密度高、发射距离短,是实现磁悬浮的 必要条件。
技术实现思路
本专利技术的原理是利用两个磁块同极相对排列,使两个磁块同极端面接触,此时两 个同极磁场之间就会相互干扰,使磁场严重扭曲变形,这种扭曲变形之后的磁场会沿着接 触端面四周发射出来,就会产生一个高密度、发射距离短、垂直于充磁方向的干扰波。这种干扰波有两种,分别是N极干扰波和S极干扰波。产生这种干扰波的必要条 件是有两个同极磁场相互干扰。磁块的机械结构变化,不会影磁块两极端面永磁波的产生; 同时磁块的机械结构变化,也不会影响N极干扰波和S极干扰波的产生。上述永磁波的波形可以通过霍尔线圈测量得到。附图说明图1是本专利技术的磁块两端同时产生干扰波结构的径向剖面构造图。图2是本专利技术的磁环环壁两侧产生干扰波的径向剖面构造图。图3是用于本专利技术的凸型弧面磁环永磁场干扰凹陷弧面磁环永磁场产生干扰波 结构的径向剖面构造图。下面结合附图对本专利技术做进一步说明。图1中,中间磁块⑴、左干扰磁块(2)、右干扰磁块(3)、左侧干扰波⑷、右侧干 扰波(5)等;左干扰磁块(2)与中间磁块(1)同极端面相对、接触排列于其左侧,此时产生 左侧干扰波(4);右干扰磁块(3)与中间磁块(1)同极端面相对、接触排列其右侧,此时产 生右侧干扰波(5)。利用上述干扰波与其他同极干扰波相互挤压,就可以实现大载荷对称磁悬浮。图2是本专利技术的磁环环壁两侧产生干扰波的径向剖面构造图。其中磁环(1)与磁 环(2)平行排列,且同极端面相对接触,此时磁环接触端面的外侧边缘会产生干扰波(3)、 内侧边缘会产生干扰波(4)。图3是本专利技术的凸型弧面磁环挤压凹陷弧面磁环产生干扰波结构的径向剖面构造图其中弧形凸面磁环(1)与弧形凹陷磁环(2)同极平行排列时,产生高密度干扰波 ⑶。 这样就证明只要是同极磁场相互干扰,无论磁环端面是否是平面,其边缘都会产 生干扰波。权利要求1.一种用于磁悬浮的永磁干扰波,其特征是两个磁块同极相对排列,使两个磁块同 极端面接触,此时两个同极磁场之间就会相互干扰,使磁场严重扭曲变形,这种扭曲变形之 后的磁场会沿着接触端面四周发射出来,就会产生一个高密度、发射距离短、垂直于充磁方 向的干扰波。2.根据权利要求1所述的用于磁悬浮的永磁干扰波,其特征是在一个磁块上,当N极 端面受其他磁块同极磁场干扰产生干扰波之后,不会影响S极端面再次产生干扰波。3.根据权利要求1所述的用于磁悬浮的永磁干扰波,其特征是两个对应磁环端面为 凸凹耦合面平行排列时,其凸凹耦合面边缘同样会产生干扰波;也就是磁环同极相对的端 面能够不是平面。全文摘要本专利技术的用于磁悬浮的永磁干扰波是由大磁环(1)、大磁环(2)、超长小磁环(3)、小磁环(4)、大磁环干扰波(5)和小磁环干扰波(6)等组成;大磁环(1)与大磁环(2)同极端面相对,接触排列,产生大磁环干扰波(5);超长小磁环(3)与小磁环(4)同极端面相对,接触排列,产生小磁环干扰波(6);大磁环干扰波(5)套在小磁环干扰波(6)的外侧,超长小磁环(3)部分套在大磁环(1)内;将两个上述结构对称安装,就是一个完整的磁悬浮轴承。文档编号H02N15/00GK101996732SQ20091018405公开日2011年3月30日 申请日期2009年8月12日 优先权日2009年8月12日专利技术者卓向东 申请人:卓向东本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于磁悬浮的永磁干扰波,其特征是:两个磁块同极相对排列,使两个磁块同极端面接触,此时两个同极磁场之间就会相互干扰,使磁场严重扭曲变形,这种扭曲变形之后的磁场会沿着接触端面四周发射出来,就会产生一个高密度、发射距离短、垂直于充磁方向的干扰波。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:卓向东
申请(专利权)人:卓向东
类型:发明
国别省市:84[中国|南京]

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