【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种数字离子阱质谱仪。数字离子阱质谱仪是用于测定分子量的仪 器。这种质谱仪的特点是采用脉冲方波数字方式的离子阱驱动电压。由于脉冲方波的占 空比是可以调整的，所以这种质谱仪有其它类型质谱仪所不能实现的功能，也是其他质 谱仪所不能替代的。
技术介绍
离子阱质谱仪最初是模拟电子技术方式的，例如四极杆离子阱质谱仪。驱动离 子阱的电压信号是模拟信号方式的，是交流变化的电压信号。这种质谱仪的测量范围和 测量精度也是很高的。上个世纪七十年代，随着数字电子技术的逐渐兴起，数字离子阱 质谱仪逐渐兴起。由于半导体技术的制约，数字离子阱质谱仪一直处在实验研究的阶 段，并没有形成一个稳定的市场。目前数字离子阱普遍采用的是2000V的高电压开关驱 动方式，这种方法的EMC和EMI干扰很强，经常引起自身电子电路和周围其它电子仪器 的故障，而且这种高压电子开关经常损坏。
技术实现思路
本专利技术包括DSP或者MCU或者FPGA控制器、D/A变换器即数字信号转换为 模拟信号的变换器、功率放大器、功率MOSFET、功率MOSFET驱动器、变压器或者互 感线圈、离子状态控制装置、离子选择...
【技术保护点】
一种数字离子阱质谱仪，包括ＤＳＰ或者ＭＣＵ或者ＦＰＧＡ控制器、Ｄ／Ａ变换器即数字信号转换为模拟信号的变换器、功率放大器、功率ＭＯＳＦＥＴ、功率ＭＯＳＦＥＴ驱动器、变压器或者互感线圈、离子状态控制装置、离子选择装置、离子阱，其特征在于还包括，第一种连接方式：ＤＳＰ或者ＭＣＵ或者ＦＰＧＡ与Ｄ／Ａ变换器相连接，Ｄ／Ａ变换器和功率放大器相连接，功率放大器连接变压器或者互感线圈初级的Ａ引脚，功率ＭＯＳＦＥＴ的一端连接到变压器或者互感线圈的初级的Ｂ引脚，功率ＭＯＳＦＥＴ另一端连接到直流电源地，功率ＭＯＳＦＥＴ的控制端连接到ＤＳＰ或者ＭＣＵ或者ＦＰＧＡ，离子状态控制装置与ＤＳＰ或者ＭＣＵ...
【技术特征摘要】
1. 一种数字离子阱质谱仪，包括DSP或者MCU或者FPGA控制器、D/A变换器即 数字信号转换为模拟信号的变换器、功率放大器、功率MOSFET、功率MOSFET驱动 器、变压器或者互感线圈、离子状态控制装置、离子选择装置、离子阱，其特征在于还 包括，第一种连接方式DSP或者MCU或者FPGA与D/A变换器相连接，D/A变换器和 功率放大器相连接，功率放大器连接变压器或者互感线圈初级的A引脚，功率MOSFET 的一端连接到变压器或者互感线圈的初级的B引脚，功率MOSFET另一端连接到直流电 源地，功率MOSFET的控制端连接到DSP或者MCU或者FPGA，离子状态控制装置与 DSP或者MCU或者FPGA相连接，离子选择装置与离子阱在机械结构上相连接，离子选 择装置与DSP或者MCU或者FPGA相连接，离子状态控制装置与离子阱相连接；第二种 连接方式DSP或者MCU或者FPGA与D/A变换器相连接，D/A变换器和功率放大器相 连接，功率放大器连接在由功率MOSFET组成的桥式电路的(1)...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。