一种太阳能电池晶体硅片制造技术

本实用新型专利技术涉及一种硅片，尤其是涉及一种太阳能电池晶体硅片。其主要是解决现有技术所存在的硅片的硅材料消耗太大，一般硅材料的利用率只有５０％左右的问题；本实用新型专利技术还解决了厚的硅片会造成太阳能电池的硅的利用率很低，从而用于制造太阳能电池的高纯硅的成本非常高等的技术问题。本实用新型专利技术包括底板（１），其特征在于所述的底板（１）上设有高纯度硅层（２），底板或高纯度硅层上设有印刷电路（３）。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种硅片，尤其是涉及一种太阳能电池晶体硅片。
技术介绍
随着半导体工艺技术的发展，微电子领域经历了重大的变革，目前，集成电路领域 已经进入了系统芯片时代，集成电路逐渐趋于将功能复杂的不同类型电路集成到单个芯片 上，系统芯片正是集成电路在向集成系统的转变下产生的。同时，随着硅器件尺寸的不断减 小，硅基器件和电路的高频性能不断得到提高，硅基混合信号集成电路和射频集成电路等 已经成为了系统芯片的主要应用和解决方案。中国专利公开了一种超薄太阳能级硅片(授 权公告号CN 201153124Y)，其本体为由上、下两平行平面组成的方形薄片，方形薄片四角 为四个相同的45 倒角，本体的上、下两平面的距离在165-195μπι范围内，其本体的翘曲 度小于75 μ m。但是这种硅片的硅材料消耗太大，一般硅材料的利用率只有50%左右，而且 硅片由于技术限制不能割的很薄，一般只能达到200微米左右，而实际的太阳能电池所需 要的硅片厚度只需要50微米左右，这样厚的硅片会造成太阳能电池的硅的利用率很低，从 而用于制造太阳能电池的高纯硅的成本非常高，硅片是太阳能电池的最大成本的部分，因 此低的硅的利用率是目前硅片制造的太阳能电池价格高的主要原因，从而影响了太阳能电 池的普及。
技术实现思路
本技术是提供一种太阳能电池晶体硅片，其主要是解决现有技术所存在的硅 片的硅材料消耗太大，一般硅材料的利用率只有50%左右的问题；本技术还解决了厚 的硅片会造成太阳能电池的硅的利用率很低，从而用于制造太阳能电池的高纯硅的成本非 常高等的技术问题。本技术的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的本技术的一种太阳能电池晶体硅片，包括底板，所述的底板上设有高纯度硅 层，底板或高纯度硅层上设有印刷电路。硅底板和高纯度硅层作为整体就构成了制造太阳 能电池的硅片，其中高纯度硅层是作为制造太阳能电池的光电有效材料，高纯度硅层下面 的底板的作用是用来作为高纯度硅结晶凝固的衬底和电池的导体，另外高纯度硅层的厚度 比较薄，机械强度比较差，而底板的厚度范围可以在50微米到3毫米，可以起到加固承载的 作用。印刷电路可以用来导通电流。作为优选，所述的高纯度硅层为多孔硅层，其厚度为100-750 μ m。多孔硅层对于 底板的作用主要在于使衬底高阻化，从而使在多孔硅上制备的电路或者器件有着较好的性 能。作为优选，所述的底板为低纯度硅底板。低纯度硅底板和高纯度硅层构成硅片，可 以通过让熔融状态的高纯度硅的硅原子结晶凝固在低纯度硅底板上形成硅片的高纯度硅层。作为优选，所述的底板与高纯度硅层之间设有过渡硅板。其中高纯度硅层是制造 太阳能电池的光电有效材料，过渡层硅的作用是可以阻挡硅底板中的杂质扩散到高纯度硅 层中，从而防止降低太阳能电池的效率。作为优选，所述的底板与高纯度硅层之间设有金属薄膜层。金属薄膜层是起反光 的作用，它可以将穿透过的高纯度硅层的太阳光反射回去，实现太阳光的再利用，这样可以 用较薄高纯硅层实现较高的太阳能电池的效率。因此，本技术可以节约制造硅片的材料，并且利用多孔硅层，使得太阳能电池 的硅的利用率较高，从而用于制造太阳能电池的高纯硅的成本较低，结构简单、合理。附图说明附图1是本技术的一种结构示意图；附图2是实施例1的图1的A-A剖面结构示意图；附图3是实施例2的图1的A-A剖面结构示意图。图中零部件、部位及编号底板1、高纯度硅层2、印刷电路3、过渡硅板4、金属薄膜层5。具体实施方式下面通过实施例，并结合附图，对本技术的技术方案作进一步具体的说明。实施例1 本例的一种太阳能电池晶体硅片，如图1、图2，有一个底板1，底板为低 纯度硅底板。底板上设有高纯度硅层2，高纯度硅层为多孔硅层，其厚度为500 μ m。底板或 高纯度硅层上设有印刷电路3。底板与高纯度硅层之间设有过渡硅板4。使用时，将本技术装入太阳能电池即可使用。实施例2 本例的一种太阳能电池晶体硅片，如图1、图3，有一个底板1，底板为低 纯度硅底板。底板上设有高纯度硅层2，高纯度硅层为多孔硅层，其厚度为500 μ m。底板或 高纯度硅层上设有印刷电路3。底板与高纯度硅层之间设有金属薄膜层5。使用时，将本技术装入太阳能电池即可使用。以上所述仅为本技术的具体实施例，但本技术的结构特征并不局限于 此，任何本领域的技术人员在本技术的领域内，所作的变化或修饰皆涵盖在本实用新 型的专利范围之中。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池晶体硅片，包括底板（１），其特征在于所述的底板（１）上设有高纯度硅层（２），底板或高纯度硅层上设有印刷电路（３）。

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池晶体硅片，包括底板(1 )，其特征在于所述的底板(1)上设有高纯度 硅层(2 )，底板或高纯度硅层上设有印刷电路(3 )。2.根据权利要求1所述的一种太阳能电池晶体硅片，其特征在于所述的高纯度硅层 (2)为多孔硅层，其厚度为100-750 μ m。3.根据权利要求1或2所述的一种太阳能电...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚桂华，刘亮，谢小磊，倪恩光，徐永洋，张克强，
申请(专利权)人：绿华能源科技杭州有限公司，
类型：实用新型
国别省市：86[中国|杭州]