变压器结构制造技术

技术编号:5152023 阅读:175 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术为一种变压器结构,其包括:一盖体,具有多个导接脚;一绕线基座,其与该盖体相组接,包括:一本体,具有一第一绕线区及多个单槽第二绕线区,且所述多个单槽第二绕线区设置于该第一绕线区的两侧;以及一通道,其贯穿该本体;一初级绕线,其缠绕于该绕线基座的该第一绕线区上,且与该盖体的多个导接脚连接;多个次级绕线,其分别缠绕于该绕线基座的所述多个单槽第二绕线区上;以及一磁芯组,其部分设置于该绕线基座的该通道中。该变压器结构通过于绕线基座上设置多个单槽第二绕线区,可提升电流转换功率,第一绕线区的绕线空间增加并可降低变压器运行时所产生的热能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种变压器结构,尤指一种具有多个单槽第二绕线区的变压器结构。
技术介绍
变压器为各式电器设备中经常使用的磁性元件,其利用电能、磁能转换感应的原 理来调整不同的电压,使其达到电器设备能够适用的范围。一般而言,变压器漏电感(leaking inductance)的控制对电源转换器十分重 要,因为它影响到电源转换器的电力转换效率。而在例如液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)等新一代电子产品的电源供应系统中,变压器则以具漏电感型的变压器为主 流,例如谐振变压器(LLC transformer),在这一类应用中,电源供应系统的电流会先经过 一变压器初级绕线固有的磁漏感L和一电容元件C所构成的LC谐振电路,同时,近似于半 个正弦波的电流会通过功率场效晶体管开关。当电流为零时,开关将导通,而经过半个正弦 波后电流返回零时,开关将关闭。采用这种具谐振电路的软开关设计,可减小开关元件的开 关损耗、降低噪声以及提升效能。且为了适应LCD面板薄型化与面板尺寸增大,磁性元件及 内部使用的导电绕组亦须朝薄型化与提高电流转换功率的趋势发展。请参阅图1,其为现有具有漏电感型的变压器的结构示意图。如图所示,变压器1 包括绕线基座 11 (bobbin)、盖体 12 (cover)及磁芯组 13 (magnetic core assembly),其中 初级绕线 111 (primary winding coil)及次级绕线 112 (secondary winding coil)缠绕于 绕线基座11上,至于其出线端113、114则直接缠绕并焊接在由绕线基座11底部垂直延伸 而出的接脚115上,盖体12则由绕线基座11的上方套覆绕线基座11,用以增加初级绕线 111、次级绕线112与磁芯组13之间的爬电距离,至于磁芯组13的第一磁芯部131容置于 绕线基座11的通道116中,第二磁芯部132则套设于绕线基座11外围,以组装成变压器1。然而现有变压器1组装完成后,其两对应的第二磁芯部132之间的接触面积会形 成一气隙(未图示),该气隙形成于初级绕线111与次级绕线112之间,若由次级绕线112 短路后,磁路会因此产生个别回路,此漏电感会较大,如此一来便难以稳定地控制变压器1 的漏电感值。此外,当初级绕线111及次级绕线112的出线端113、114缠绕并焊接在接脚 115上时,由于现有绕线基座11的理线槽117太短,即接脚115与绕线基座11的绕线区之 间的距离太短,会使得焊锡沾染到缠绕于绕线基座11内的初级绕线111及次级绕线112,因 此现有通常会在初级绕线111与次级绕线112的出线端113、114周围套设套管14,虽套设 套管14可达到保护缠绕于绕线基座11内的初级绕线111与次级绕线112的目的,却衍生 出套管熔损、耗费工时以及材料成本上升等问题。因此,如何发展一种可改善上述现有技术缺陷的变压器结构,实为目前迫切需要 解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种变压器结构,其具有多个单槽第二绕线区的绕线基座,通过多个单槽第二绕线区来分别缠绕多个次级绕线,以改变绕线及磁路方式,从而解 决现有变压器的磁芯组组合时气隙形成于初级绕线与次级绕线之间导致难以稳定地控制 变压器的漏电感值,以及需于初级绕线与次级绕线的出线端周围套设套管等缺点。本专利技术的另一目的在于提供一种变压器结构,其盖体具有多个导接脚使初级绕线 的出线端可缠绕于所述多个导接脚上,使得第一绕线区空间增加,以提高电流转换功率及 降低变压器所产生的热能。为达上述目的,本专利技术的一较广义实施形式为提供一种变压器结构,其包括盖 体,具有多个导接脚;绕线基座,其与盖体相组接,包括本体,具有第一绕线区及多个单槽 第二绕线区,且多个单槽第二绕线区设置于第一绕线区的两侧;以及通道,其贯穿本体;初 级绕线,其缠绕于绕线基座的第一绕线区上,且与盖体的多个导接脚连接;多个次级绕线, 其分别缠绕于绕线基座的多个单槽第二绕线区上;以及磁芯组,其部分设置于绕线基座的 通道中。根据本专利技术的构想,其中该盖体还包含本体及容置部,其中本体具有中空部,中空 部用以容置部分本体及初级绕线,容置部用以容置部分磁芯组,且多个导接脚与容置部相 连接。根据本专利技术的构想,其中该绕线基座还包括多个隔板,本体的两相对侧分别具有 侧壁且于侧壁延伸出底座,多个隔板设置于本体上并与侧壁共同定义出第一绕线区及多个 单槽第二绕线区。根据本专利技术的构想,其中该绕线基座还包含多个导接脚,其由底座延伸而出,以与 多个次级绕线的出线端连接。根据本专利技术的构想,其中该绕线基座的第一绕线区为单槽式结构或多槽式结构。根据本专利技术的构想,其中该绕线基座具有中央隔板,其设置于第一绕线区中,用以 将第一绕线区分隔为多槽式结构。根据本专利技术的构想,其中该中央隔板具有间隙,以使初级绕线通过。根据本专利技术的构想,其中该磁芯组包括第一磁芯部及第二磁芯部。根据本专利技术的构想,其中该第一磁芯部与第二磁芯部还分别具有轴心部及多个侧 柱。根据本专利技术的构想,其中该磁芯组为EE型磁芯、UI型磁芯或EI型磁芯。根据本专利技术的构想,其中该变压器为谐振变压器。附图说明图1 其为现有具漏电感型的变压器的结构示意图。图2A 其为本专利技术第一较佳实施例的变压器结构的分解结构示意图。图2B 其为本专利技术图2A所示的变压器绕线完成的示意图。图2C 其为本专利技术图2A所示的变压器组装完成的示意图。图2D 其为本专利技术图2A所示的变压器组装完成的底面图。图3 其为本专利技术第二较佳实施例的分解结构示意图。其中,附图标记说明如下变压器1、2、3绕线基座11、22、31初级绕线111、24出线端113、114、24a、24b、251通道116、224盖体12、21第一磁芯部131、231套管14第一绕线区222单槽第二绕线区223、312第二区域222b、312b第四区域312d第一导接脚213a容置部212中空部214隔板225侧壁226底座227理线槽2271中央隔板229间隙2291轴心部231a、232a接脚115理线槽:117、2271 磁芯组:13、23 第二磁芯部132、232侧柱:231b,232b第一区域222a、312a 第三区域312c 导接脚=213,228 第二导接脚213b次级绕线112、25本体211、221、311 具体实施例方式体现本专利技术特征与优点的一些典型实施例将在后段的说明中详细叙述。应理解的 是本专利技术能够在不同的形式上具有各种的变化,其皆不脱离本专利技术的范围,且其中的说明 及附图在本质上作为说明,而非用以限制本专利技术。请参阅图2A,其为本专利技术第一较佳实施例的变压器结构的分解结构示意图。如图 所示,本专利技术变压器2主要包括盖体21、绕线基座22、磁芯组23、初级绕线24以及多个次级 绕线25 (如图2B所示)。其中,盖体21与绕线基座22相组接且具有本体211、容置部212 以及多个导接脚213,而本体211内部具有中空部214,并于本体211的两侧垂直延伸该容 置部212,而多个导接脚213则设置于容置部212的外侧端。本专利技术的绕线基座22主要包 括本体221、通道224、多个隔板225、多个侧壁226以及底座227,其中通道224本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种变压器结构,其包括:一盖体,具有多个导接脚;一绕线基座,其与该盖体相组接,包括:一本体,具有一第一绕线区及多个单槽第二绕线区,且所述多个单槽第二绕线区设置于该第一绕线区的两侧;以及一通道,其贯穿该本体;一初级绕线,其缠绕于该绕线基座的该第一绕线区上,且与该盖体的多个导接脚连接;多个次级绕线,其分别缠绕于该绕线基座的所述多个单槽第二绕线区上;以及一磁芯组,其部分设置于该绕线基座的该通道中。

【技术特征摘要】
1.一种变压器结构,其包括 一盖体,具有多个导接脚;一绕线基座,其与该盖体相组接,包括一本体,具有一第一绕线区及多个单槽第二绕线区,且所述多个单槽第二绕线区设置 于该第一绕线区的两侧;以及 一通道,其贯穿该本体;一初级绕线,其缠绕于该绕线基座的该第一绕线区上,且与该盖体的多个导接脚连接;多个次级绕线,其分别缠绕于该绕线基座的所述多个单槽第二绕线区上;以及 一磁芯组,其部分设置于该绕线基座的该通道中。2.如权利要求1所述的变压器结构,其中该盖体还包含一本体及一容置部,其中该本 体具有一中空部,该中空部用以容置部分该本体及该初级绕线,该容置部用以容置部分该 磁芯组,且所述多个导接脚与该容置部相连接。3.如权利要求1所述的变压器结构,其中该绕线基座还包括多个隔板,该本体的两相 对侧分别具有一侧壁,且于该侧壁延伸出一底座,所述多个隔板设置于该本体上并与该侧 壁共同定义出该第一绕线区及...

【专利技术属性】
技术研发人员:曾祥益蔡辛卫
申请(专利权)人:台达电子工业股份有限公司
类型:发明
国别省市:71

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