用于电子产品的晶体振荡器的频偏检测方法和装置制造方法及图纸

技术编号:5142696 阅读:415 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种用于电子产品的晶体振荡器的频偏检测方法包括:对晶体振荡器在一定时间内的振荡周期进行计数;根据计数结果计算晶体振荡器的测试频偏和门限频偏;根据测试频偏和门限频偏评估晶体振荡器的质量。本发明专利技术还公开了一种用于电子产品的晶体振荡器的频偏检测装置。本发明专利技术提供了一种经济简易的方法和装置检测电子产品上晶振的频偏,避免了以往电子产品出厂抽检造成的漏检问题,解决了影响电子产品质量关键因素的晶振故障泄露,对于提升电子产品质量,增加客户满意度,降低返修成本有积极的作用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及通信领域,具体而言,涉及一种用于电子产品的晶体振荡器的频偏检 测方法和装置。
技术介绍
电子产品的功能越来越强大,复杂度越来越高,用户对产品质量的要求也越来越 高,这就对电子产品的生产厂家提供了更高的要求。要保证产品质量,电子产品上每个器件 的可靠性是一个重要因素,根据业界统计,晶振(晶体振荡器)故障在电子产品中的故障占 了很大的比重。因此,如果能够有效地解决晶振故障,对提高电子产品的质量有很大的帮 助。而减少晶振故障,产品的出厂检验是很重要的环节,如果我们能够对出厂的电子产品上 的晶振的频偏进行有效测试,就可以在一定程度上避免晶振故障,从而提高产品的质量。现有技术至少存在以下问题现有的测试频偏的专用仪器(如频率记)有着昂贵 的价格,而且需要复杂的测试环境和专门的测试人员,如果对每台出厂的电子设备都进行 晶振检测,需要庞大的资金设备和人力投入,在实际的生产中是不现实的。目前大部分厂家 都采取抽样检测,抽样检测不可避免地会存在故障泄露,这个也是目前电子产品生产厂家 比较头痛的问题之一。
技术实现思路
针对现有技术中存在的上述问题而提出本专利技术,为此,本专利技术的主要目的在于提 供一种用于电子产品的晶体振荡器的频偏检测方法和装置,以解决耗资过大以及抽样检测 存在故障泄露的问题。为了实现上述目的,根据本专利技术的一个方面,提供了一种用于电子产品的晶体振 荡器的频偏检测方法。根据本专利技术的用于电子产品的晶体振荡器的频偏检测方法包括对晶体振荡器在 一定时间内的振荡周期进行计数;根据计数结果计算晶体振荡器的测试频偏和门限频偏; 根据测试频偏和门限频偏评估晶体振荡器的质量。其中,晶体振荡器为电子产品中的多个晶体振荡器中的每个晶体振荡器。优选地,根据计数结果计算晶体振荡器的测试频偏和门限频偏包括获取每个晶 体振荡器对应的计数值;计算每个晶体振荡器的测试频偏和门限频偏,包括选择多个晶 体振荡器中的另一个晶体振荡器j作为晶体振荡器i的参考晶体振荡器;根据参考晶体振 荡器对应的计数值以及晶体振荡器i对应的计数值计算晶体振荡器i的测试频偏和门限频 偏;其中,i兴j,变量i = 1,2,. . .,N,N为晶体振荡器的总数量。优选地,晶体振荡器i的测试频偏为AfMm =(/-(1//7 *C7)/C)//;,其中Δ/测试为晶体振荡器i的测试频偏,&为晶体振荡器i的标称频率,Ci为晶体振荡器i对应的计数器的计数值,fj为参考晶体振荡器的标 称频率,Cj为参考晶体振荡器对应的计数器的计数值,i Φ j,变量i = 1,2, N,N为晶体振荡器的总数量。优选地,晶体振荡器i的门限频偏为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于电子产品的晶体振荡器的频偏检测方法,其特征在于,包括:对晶体振荡器在一定时间内的振荡周期进行计数;根据计数结果计算所述晶体振荡器的测试频偏和门限频偏;根据所述测试频偏和门限频偏评估所述晶体振荡器的质量。

【技术特征摘要】
1.一种用于电子产品的晶体振荡器的频偏检测方法,其特征在于,包括 对晶体振荡器在一定时间内的振荡周期进行计数;根据计数结果计算所述晶体振荡器的测试频偏和门限频偏; 根据所述测试频偏和门限频偏评估所述晶体振荡器的质量。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述晶体振荡器为电子产品中的多个晶 体振荡器中的每个晶体振荡器。3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,根据计数结果计算所述晶体振荡器的 测试频偏和门限频偏包括获取每个所述晶体振荡器对应的计数值;计算每个所述晶体振荡器的测试频偏和门限频偏,包括选择所述多个晶体振荡器中的另一个晶体振荡器j作为晶体振荡器i的参考晶体振荡器;根据所述参考晶体振荡器对应的计数值以及所述晶体振荡器i对应的计数值计算晶 体振荡器i的测试频偏和门限频偏;其中,i兴j,变量i = 1,2,. . .,N, N为晶体振荡器的总数量。4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述晶体振荡器i的测试频偏为5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述晶体振荡器i的门限频偏为6.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,根据计数结果计算所述晶体振荡器的 测试频偏和门限频偏还包括根据实验数据计算晶体振荡器的门限频偏为Δ f门限=-Δ fmax*95% + Δ fmin*105%,其中Δ f门限为晶体振荡器的门限频偏,-Δ fmax 为合格的电子产品中晶体振荡器的最大负频偏,+Afmin为合格的电子产品中晶体振荡器的 最大正频偏;以计算得到的门限频偏△ f ΠΚ作为每个所述晶体振荡器的门限频偏。7.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,当所述多个晶体振荡器为三个或三个以上的晶体振荡器时,选择稳定度最高的晶体振荡器作为参考晶体振荡器计算其他晶体 振荡器的测试频偏和门限频偏;选择稳定度仅次于 所述稳定度最高的晶体振荡器的晶体振荡器作为参考晶体振荡器计算所述稳定度最高的 晶体振荡器的测试频偏和门限频偏;当电子产品中仅包括一个晶体振荡器时,增加一个检测用的晶体振荡器。8.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,根据所述测试频偏和门限频偏评估所 述晶体振荡器的质量包括比较每个所述晶体振荡器的测试频偏和门限频偏;若每个所述晶体振荡器的测试频偏均在门限频偏的范围内,则所述电子产品中的多个 晶体振荡器的频偏指标符合要求;否则,所述电子产品中的多个晶体振荡器中至少有一个晶体振荡器的频偏指标不符合...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙玉才戴庆军
申请(专利权)人:中兴通讯股份有限公司
类型:发明
国别省市:94[中国|深圳]

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