具有改进型终端的ＩＧＢＴ及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种具有改进型终端的ＩＧＢＴ及其制造方法，其第二分压保护区包括至少一个第二导电类型注入区，第二导电类型注入区在第一导电类型漂移区内沿第一主面指向第二主面的方向延伸，相邻的第二导电类型注入区由第一导电类型漂移区相间隔；第二导电类型注入区内包括至少一个分压沟槽，分压沟槽位于第二导电类型注入区内，并沿第二导电类型注入区的轴线分布；分压沟槽内填充有第一绝缘介质层，第一绝缘介质层填充在分压沟槽内，并覆盖在半导体基板相应的第一主面上。本发明专利技术提高了器件的耐压可靠性，增大了器件设计尺寸和制造工艺波动的容宽窗口，缩小了器件终端保护区所占芯片整体面积的比重，从而降低了成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种功率半导体器件，尤其是一种具有改进型终端的IGBT及其制造 方法。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)的出现大大改 善了传统金属_氧化物_半导体场效应晶体管MOSFET固有存在的器件耐压与导通电阻相 互牵制的情况，这源于IGBT是一种结合了绝缘栅MOS晶体管与双极型晶体管的高电流密度 特性的器件，导通电阻的大幅降低为IGBT器件合理有效地提升耐压带来巨大的操作空间。 而确保IGBT获得较高耐压的一个重要前提条件就是所述IGBT器件必需具备一种优良的终 端保护结构。现有的终端保护结构包括传统的场限环(FLR)结构、场限环加场板(FP)结构、 场板结构、结终端延伸(JTE)结构、横向变掺杂(VLD)结构等。目前已知广泛使用于中高压 IGBT的终端保护结构包括传统的场限环(FLR)结构、场限环加场板(FP)结构。传统的场限环(FLR)结构26如图1所示。所述IGBT器件包含左侧的器件有源区 和位于有源区右侧的器件终端保护区，所述IGBT器件的终端保护区包含多个互不接触，并 且依照指定距离相邻排布的P本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有改进型终端的ＩＧＢＴ，在所述ＩＧＢＴ器件的俯视平面上，包括位于半导体基板上的有源区和终端保护区，所述有源区位于半导体基板的中心区，终端保护区位于有源区的外围；所述终端保护区包括位于其内圈的分压保护区及位于其外圈的截止保护区；所述分压保护区包括第一分压保护区与第二分压保护区，所述第一分压保护区环绕保护有源区，第二分压保护区位于第一分压保护区的外圈，并环绕包围第一分压保护区及有源区；其特征是：在所述ＩＧＢＴ器件的截面上，所述半导体基板具有两个相对的主面，所述主面包括第一主面与第二主面，半导体基板的第一主面与第二主面间包括第一导电类型漂移区；第二分压保护区包括至少一个第二导电类型注入区，所述...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱袁正，丁磊，叶鹏，胡永刚，
申请(专利权)人：无锡新洁能功率半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]