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本发明涉及一种具有改进型终端的ＩＧＢＴ及其制造方法，其第二分压保护区包括至少一个第二导电类型注入区，第二导电类型注入区在第一导电类型漂移区内沿第一主面指向第二主面的方向延伸，相邻的第二导电类型注入区由第一导电类型漂移区相间隔；第二导电类型注...
该专利属于无锡新洁能功率半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡新洁能功率半导体有限公司授权不得商用。

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