硅氧烷组合物和有机发光二极管制造技术

一种硅氧烷组合物，它包含（Ａ）通过使至少一种噻吩基取代的硅烷和交联剂与水在有机溶剂存在下反应，形成含水解产物的有机相和水相，并分离有机相与水相，和（Ｂ）有机溶剂，和一种有机发光二极管（ＯＬＥＤ），它含有含通过施加前述硅氧烷组合物形成膜和固化该膜制备的固化的聚硅氧烷的空穴传输／空穴注入层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及硅氧烷组合物，和更特别地涉及下述硅氧烷组合物，它包含(A)通 过使至少一种噻吩基取代的硅烷和交联剂与水在有机溶剂存在下反应形成含水解产物的 有机相和水相且分离有机相与水相而制备的水解产物；和(B)有机溶剂。本专利技术还涉及 有机发光二极管(OLED)，它含有包括通过施加前述硅氧烷组合物形成膜和固化该膜而 制备的固化的聚硅氧烷的空穴传输/空穴注入层。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)可用于各种消费产品，例如手表、电话、膝上型计算 机、寻呼机、移动电话、数码相机、DVD播放器和计算器。含发光二极管的显示器相对 于常规的液晶显示器(LCD)具有许多优点。例如，OLED显示器比LCD薄，消耗更少 的电能，且更明亮。此外，与LCD不同，OLED显示器自照明且不要求背后照明。此 外，OLED显示器具有宽的视角，甚至在亮光下。这些结合特点的结果是，OLED显示 器比LCD显示器重量轻且占据更少的空间。OLED典型地包括介于阳极和阴极之间的发光元件。发光元件典型地包括有机 薄层的层叠件，所述层叠件包括空穴传输层，发射层，和电子传输层。然而，OLED也 可含有额外的层，例如空穴注入层和电子注入层。此外，发射层可含有荧光染料或掺杂 剂，以提高OLED的电致发光效率并控制颜色输出。尽管可使用各种有机聚合物制备OLED中的空穴传输层，但聚(3，4-亚乙基二 氧基噻吩)聚(苯乙烯磺酸盐)，PDOT:PSS是优选的空穴传输材料。含这一材料的OLED 典型地具有低的接通电压和高的亮度。然而，含PDOT:PSS的空穴传输层具有许多局限 性，其中包括低的透明度、高的酸度，对电化学去掺杂(掺杂剂从空穴传输层中迁移)和 电化学分解敏感。而且，PDOT:PSS在制备空穴传输层所使用的有机溶剂和聚合物的含 水乳液中不溶，稳定性有限。因此，需要含克服前述局限性的空穴传输层的OLED。专利技术概述本专利技术涉及硅氧烷组合物，它包含(A)通过使(a)通式为Th-(CH2)1^2SiR1nXh的至少一种噻吩基取代的硅烷和(b) 选自ω通式为(R\six4_b)的至少一种硅烷，Gi)每一分子平均具有至少两个甲硅烷基的 至少一种有机化合物，其中甲硅烷基的通式为-siR3。x3_。，和(m)含ω和( )的混合物 中的交联剂与水在有机溶剂存在下反应，形成含水解产物的有机相和水相，和分离有机 相与水相而制备的水解产物，其中R1是不含脂族不饱和键的C1-Cltl烃基，X是可水解基 团，Th是噻吩基或取代的噻吩基，R3是C1-Cltl烃基或-H，m为0-10，η为O、1或2， b为O或1，和c为O、1或2 ；和(B)有机溶剂。本专利技术还涉及有机发光二极管，它包括具有第一相对表面和第二相对表面的基底；覆在第一相对表面上的第一电极层；覆在第一电极层上的发光元件，该发光元件包括发射/电子传输层，和空穴传输/空穴注入层，其中空穴传输/空穴注入层包括通过施加硅氧烷组合物 形成膜和固化该膜制备的固化的聚硅氧烷，其中该硅氧烷组合物包含(A)通过使(a)通式 为Th-(CH2)1^2SiR1nXh的至少一种噻吩基取代的硅烷和(b)选自(i)通式为(R3bSiX4J的 至少一种硅烷，(ii)每一分子平均具有至少两个甲硅烷基的至少一种有机化合物，其中甲 硅烷基的通式为-SiR3。X3_。，和(iii)含(i)和(ii)的混合物中的交联剂与水在有机溶剂存 在下反应，形成含水解产物的有机相和水相，和分离有机相与水相而制备的水解产物， 其中R1是不含脂族不饱和键WC1-Cltl烃基，X是可水解基团，Th是噻吩基或取代的噻 吩基，R3是C1-Cltl烃基或-H，m为0-10，η为0、1或2，b为0或1，和c为0、1或 2 ；和(B)有机溶剂；和覆在发光元件上的第二电极层。本专利技术的OLED具有低的接通电压和高的亮度。此外，本专利技术含固化的聚硅氧 烷的空穴传输/空穴注入层显示出高的透明度和中性pH。而且，在制备空穴传输/空穴 注入层所使用的硅氧烷组合物中的水解产物可溶于有机溶剂，和该组合物在不存在湿气 的情况下具有良好的稳定性。本专利技术的有机发光二极管可用作离散的发光器件或用作发光阵列或显示器例如 平板显示器中的有源元件。OLED显示器可用于许多器件中，其中包括手表、电话、膝 上型计算机、寻呼机、移动电话、数码相机、DVD播放器和计算器。参考下述说明、所附权利要求书和附图，本专利技术的这些和其他特征、方面与优 点将变得更好理解。附图简述附图说明图1示出了根据本专利技术的OLED的第一实施方案的截面视图。图2示出了根据本专利技术的OLED的第二实施方案的截面视图。专利技术详述此处在相对于所提到的组件涉及第一电极层、发光元件和第二电极层的位置中 所使用的术语“覆在...上”是指特定层或者直接位于组件上或者位于组件上方且在其间 存在一层或多层中间层，条件是OLED与第一电极层下方的基底一起取向，如图1和2所 示。例如，在OLED中，在相对于基底的第一相对表面涉及第一电极层的位置中所使用 的术语“覆在...上”是指第一电极层或者直接位于该表面上或者与该表面相隔一层或多 层中间层。本专利技术的硅氧烷组合物包含(A)通过使(a)通式为Th- (CH2) ^SiR1nXh的至少一种噻吩基取代的硅烷和(b) 选自ω通式为(R\six4_b)的至少一种硅烷，(ii)每一分子平均具有至少两个甲硅烷基的 至少一种有机化合物，其中甲硅烷基的通式为-siR3。x3_。，和(m)含ω和( )的混合物中的交联剂与水在有机溶剂存在下反应，形成含水解产物的有机相和水相，和分离有机 相与水相而制备的水解产物，其中R1是不含脂族不饱和键的C1-Cltl烃基，X是可水解基 团，Th是噻吩基或取代的噻吩基，R3是C1-Cltl烃基或-H，m为0-10，η为0、1或2， b为0或1，和c为0、1或2 ；和(B)有机溶剂。硅氧烷组合物中的组分(A)是通过使(a)通式为Th-(CH2)1^2SiR1nX3I的至少一 种噻吩基取代的硅烷和(b)选自ω通式为(R\six4_b)的至少一种硅烷，( )每一分子平 均具有至少两个甲硅烷基的至少一种有机化合物，其中甲硅烷基的通式为-SiR3。X3_。，和 (iii)含ω和(ω的混合物中的交联剂与水在有机溶剂存在下反应，形成含水解产物的 有机相和水相，和分离有机相与水相而制备的水解产物，其中R1是不含脂族不饱和键的 C1-Cltl烃基，X是可水解基团，Th是噻吩基或取代的噻吩基，R3是C1-Cltl烃基或-H， m为0-10，η为0、1或2，b为 或1，和c为0、1或2。噻吩基取代的硅烷(a)是通式为Th-(CH2)1^2SiR1nXh的至少一种噻吩基取代的 硅烷，其中R1是不含脂族不饱和键WC1-Cltl烃基，X是可水解基团，Th是噻吩基或取代 的噻吩基，m为0-10，和η为0、1或2。或者，下标m的数值为0_5或1_3。用R1表示的烃基不含脂族不饱和键且典型地具有1-10个碳原子，或者1-6个碳 原子。术语“不含脂族不饱和键”是指该基团不含脂族碳_碳双键和脂族碳_碳三键。 含至少3个碳原子的无环烃基可具有支化或未支化的结构。用R1表示的烃基的实例包 括但不限于烷基，例如甲基、乙基、丙基、1-甲基乙基、丁基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅氧烷组合物，它包含：　　（Ａ）通过使（ａ）通式为Ｔｈ－（ＣＨ↓［２］）↓［ｍ＋２］ＳｉＲ↑［１］↓［ｎ］Ｘ↓［３－ｎ］的至少一种噻吩基取代的硅烷和（ｂ）选自（ｉ）通式为（Ｒ↑［３］↓［ｂ］ＳｉＸ↓［４－ｂ］）的至少一种硅烷，（ｉｉ）每一分子平均具有至少两个甲硅烷基的至少一种有机化合物，其中甲硅烷基的通式为－ＳｉＲ↑［３］↓［ｃ］Ｘ↓［３－ｃ］，和（ｉｉｉ）含（ｉ）和（ｉｉ）的混合物中的交联剂与水在有机溶剂存在下反应，形成含水解产物的有机相和水相，和分离有机相与水相而制备的水解产物，其中Ｒ↑［１］是不含脂族不饱和键的Ｃ↓［１］－Ｃ↓［１０］烃基，Ｘ是可水解基团，Ｔｈ是噻吩基或取代的噻吩基，Ｒ↑［３］是Ｃ↓［１］－Ｃ↓［１０］烃基或－Ｈ，ｍ为０－１０，ｎ为０、１或２，ｂ为０或１，和ｃ为０、１或２；和　　（Ｂ）有机溶剂。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：T铃木，D威特克尔，
申请(专利权)人：陶氏康宁公司，
类型：发明
国别省市：US