一种反并联双二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种反并联双二极管芯片，其特征在于：所述芯片为反并联集成芯片，结构为在芯片载体上设置两个反向排列的ＰＮ结芯片Ａ、Ｂ，两芯片中间有隔离带，隔离带两端覆盖二氧化硅保护层，ＰＮ结两端引出部分通过金属层连接形成芯片Ａ、Ｂ反并联。以上结构的优点在于：它可以单独封装成ＤＯ－１５，ＤＯ－４１标准的轴向二极管外形，也可以与固体放电管芯或ＴＶＳ管芯片叠加烧结一起封装成反并联双二极管集成产品。最大的优点还在于节约空间，减少所占面积，适应电子产品追求小巧的趋势，能够适用于高频电子通信设备的电容值小于５ｐｆ的低电容固体放电管。具有广阔的市场前景。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

技术涉及一种反并联双二极管，具体涉及一种即可以单独封装成轴向二极 管，也可以与固体放电管芯片或TVS管芯片叠加烧结一起封装成反并联双二极管的集成芯 片。
技术介绍
放电管的短路失效模式比气体放电管的开路失效模式在安全保护方面更加可靠， 因此被越来越多地应用。但在数据线、ISDN、CATV、Modem以及其他高频电子通信设备中，目 前已有的SA系列、TPA系列、P3XX系列固体放电管电容值较大(通常20pf以上)而引起信 号较大的衰减使应用受到限制。因此数据线、ISDN、 CATV、 Modem以及其他高频电子通信设 备迫切需要低电容固体放电管。且上述高频电子通信设备的电容值最好为小于5pf的低电 容固体放电管。目前市场上流通的均为20pf以上的固体放电管。
技术实现思路
本技术的主要任务在于提供一种反并联双二极管，具体涉及一种即可以单独 封装成轴向二极管也可以与固体放电管芯或TVS管芯片叠加烧结一起封装成反并联双二 极管集成芯片。 为了解决以上技术问题，本技术的一种反并联双二极管芯片，其特征在于所 述芯片为反并联集成芯片，结构为在芯片载体上设置两个反向排列的PN结芯片A、 B，两芯 片中间本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种反并联双二极管芯片，其特征在于：所述芯片为反并联集成芯片，结构为在芯片载体上设置两个反向排列的ＰＮ结芯片Ａ、Ｂ，两芯片中间有隔离带，隔离带两端覆盖二氧化硅保护层，ＰＮ结两端引出部分通过金属层连接形成芯片Ａ、Ｂ反并联。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：袁建军，
申请(专利权)人：南通久旺电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]