一种反并联双二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种反并联双二极管芯片，其特征在于：所述芯片为反并联集成芯片，结构为在芯片载体上设置两个反向排列的ＰＮ结芯片Ａ、Ｂ，两芯片中间有隔离带，隔离带两端覆盖二氧化硅保护层，ＰＮ结两端引出部分通过金属层连接形成芯片Ａ、Ｂ反并联。以上结构的优点在于：它可以单独封装成ＤＯ－１５，ＤＯ－４１标准的轴向二极管外形，也可以与固体放电管芯或ＴＶＳ管芯片叠加烧结一起封装成反并联双二极管集成产品。最大的优点还在于节约空间，减少所占面积，适应电子产品追求小巧的趋势，能够适用于高频电子通信设备的电容值小于５ｐｆ的低电容固体放电管。具有广阔的市场前景。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

技术涉及一种反并联双二极管，具体涉及一种即可以单独封装成轴向二极 管，也可以与固体放电管芯片或TVS管芯片叠加烧结一起封装成反并联双二极管的集成芯 片。
技术介绍
放电管的短路失效模式比气体放电管的开路失效模式在安全保护方面更加可靠， 因此被越来越多地应用。但在数据线、ISDN、CATV、Modem以及其他高频电子通信设备中，目 前已有的SA系列、TPA系列、P3XX系列固体放电管电容值较大(通常20pf以上)而引起信 号较大的衰减使应用受到限制。因此数据线、ISDN、 CATV、 Modem以及其他高频电子通信设 备迫切需要低电容固体放电管。且上述高频电子通信设备的电容值最好为小于5pf的低电 容固体放电管。目前市场上流通的均为20pf以上的固体放电管。
技术实现思路
本技术的主要任务在于提供一种反并联双二极管，具体涉及一种即可以单独 封装成轴向二极管也可以与固体放电管芯或TVS管芯片叠加烧结一起封装成反并联双二 极管集成芯片。 为了解决以上技术问题，本技术的一种反并联双二极管芯片，其特征在于所 述芯片为反并联集成芯片，结构为在芯片载体上设置两个反向排列的PN结芯片A、 B，两芯 片中间有隔离带，隔离带两端覆盖二氧化硅保护层，PN结两端引出部分通过金属层连接形 成芯片A、B反并联。 进一步地，所述芯片A、B的两端均分别设有磷扩散区和硼扩散区。 进一步地，所述芯片A的磷扩散区的端面与芯片B的硼扩散区的端面为同一端面。 进一步地，所述芯片A的硼扩散区的端面与芯片B的磷扩散区的端面为同一端面。 进一步地，所述隔离带内用硼进行穿通扩散。 以上结构的优点在于将两个PN结反向并联，在电子线路中常用于双向限压，以 及利用整流二极管较小的电容与固体放电管或双向瞬间电压抑制器管串联来降低整个保 护电路电容的目的。本技术的集成芯片是将芯片制成双面扩散区对称，两芯片之间设 隔离带的集成芯片，它可以单独封装成D0-15， D0-41标准的轴向二极管外形，也可以与固 体放电管芯或TVS管芯片叠加烧结一起封装成反并联双二极管集成产品。最大的优点还在 于节约空间，减少所占面积，适应目前电子产品追求小巧的趋势，能够适用于高频电子通信 设备的电容值小于5pf的低电容固体放电管。具有广阔的市场前景。附图说明图为本技术的结构示意图。具体实施方式如图所示，本技术的芯片为PN极反向并联的集成芯片。具体结构为将含低 浓度磷的硅单晶作为芯片载体2，在该载体2上设置两个芯片A、B，所述芯片A、B的结构相 同，均为在载体2的两端面上分别设磷扩散区和硼扩散区，只是芯片A的磷扩散区3的端面 与芯片B硼扩散区4的端面为同一端面，芯片A的硼扩散区1端面与芯片B磷扩散区5端 面为同一端面。在上述的磷扩散区3、5端面与硼扩散区4、1端面的引出部分直接连合金金 属层6，具体连接为磷扩散区3与硼扩散区4通过弓I出部分与合金金属层6连通，磷扩散区 5硼扩散区1过引出部分与合金金属层6连通，这样，使两个芯片A、B实现PN极反向并联， 达到在电子线路中用于双向限压，以及利用整流二极管较小的电容与固体放电管或双向瞬 间电压抑制器管串联来降低整个保护电路电容的目的。 在上述两个芯片A、B之间的中心位置，设有硼扩散区作为隔离带7，在隔离带7的 两端部及两个芯片引出部分以外的部分，均覆盖有二氧化硅氧化层8。权利要求一种反并联双二极管芯片，其特征在于所述芯片为反并联集成芯片，结构为在芯片载体上设置两个反向排列的PN结芯片A、B，两芯片中间有隔离带，隔离带两端覆盖二氧化硅保护层，PN结两端引出部分通过金属层连接形成芯片A、B反并联。2. 根据权利要求1所述的一种反并联双二极管芯片，其特征在于所述芯片A、 B的两 端均分别设有磷扩散区和硼扩散区。3. 根据权利要求2所述的一种反并联双二极管芯片，其特征在于所述芯片A的磷扩 散区的端面与芯片B的硼扩散区的端面为同一端面。4. 根据权利要求2所述的一种反并联双二极管芯片，其特征在于所述芯片A的硼扩 散区的端面与芯片B的磷扩散区的端面为同一端面。5. 根据权利要求1所述的一种反并联双二极管芯片，其特征在于所述隔离带内用硼 进行穿通扩散。专利摘要本技术公开了一种反并联双二极管芯片，其特征在于所述芯片为反并联集成芯片，结构为在芯片载体上设置两个反向排列的PN结芯片A、B，两芯片中间有隔离带，隔离带两端覆盖二氧化硅保护层，PN结两端引出部分通过金属层连接形成芯片A、B反并联。以上结构的优点在于它可以单独封装成DO-15，DO-41标准的轴向二极管外形，也可以与固体放电管芯或TVS管芯片叠加烧结一起封装成反并联双二极管集成产品。最大的优点还在于节约空间，减少所占面积，适应电子产品追求小巧的趋势，能够适用于高频电子通信设备的电容值小于5pf的低电容固体放电管。具有广阔的市场前景。文档编号H01L29/861GK201478303SQ200920154498公开日2010年5月19日 申请日期2009年5月15日 优先权日2009年5月15日专利技术者袁建军 申请人:南通久旺电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种反并联双二极管芯片，其特征在于：所述芯片为反并联集成芯片，结构为在芯片载体上设置两个反向排列的ＰＮ结芯片Ａ、Ｂ，两芯片中间有隔离带，隔离带两端覆盖二氧化硅保护层，ＰＮ结两端引出部分通过金属层连接形成芯片Ａ、Ｂ反并联。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：袁建军，
申请(专利权)人：南通久旺电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]