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本实用新型公开了一种反并联双二极管芯片，其特征在于：所述芯片为反并联集成芯片，结构为在芯片载体上设置两个反向排列的ＰＮ结芯片Ａ、Ｂ，两芯片中间有隔离带，隔离带两端覆盖二氧化硅保护层，ＰＮ结两端引出部分通过金属层连接形成芯片Ａ、Ｂ反并联。以上...
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