【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及薄膜太阳能电池制造装置。本申请基于2008年6月6日于日本申请的特愿2008-149935号主张优先权，在此 援用其内容。
技术介绍
现在的太阳能电池，单晶Si型和多晶Si型占据大半，人们担心Si的材料不足等。 因此，近年来，制造成本低且材料不足的风险小、形成有薄膜Si层的薄膜太阳能电池的需 求升高。进而，在仅具有a-Si (非晶硅)层的现有型的薄膜太阳能电池的基础上，最近通过 层积a-Si层与μ C-Si (微晶硅)层，从而实现光电转换效率提高的叠层型薄膜太阳能电池 的需求升高。这种薄膜太阳能电池的薄膜Si层(半导体层)的成膜多使用等离子体CVD装置。 作为这种等离子体CVD装置，存在群集式PE-CVD (等离子体CVD)装置、线列型PE-CVD装置、 批次式PE-CVD装置等。如果考虑薄膜太阳能电池的转换效率，上述叠层型太阳能电池的μ C-Si层与 a-Si层相比较需要成膜约5倍左右的膜厚(1.5μπι左右)。另外，由于yc-Si层需要均勻 地形成优质的微晶膜，因此加快成膜速度也是有界限的。因此，为了进行补偿，要求通过批 处理数的增加等来提高生...
【技术保护点】
一种薄膜太阳能电池制造装置，其特征在于，包括： 成膜室，在基板的成膜面上通过ＣＶＤ法形成膜； 电极单元，具有：施加有电压的阴极被配置在两侧的阴极单元、以及与所述各阴极分别对置且隔开间隔距离配置的一对阳极； 掩膜，覆盖所述基板的周缘部；以及 排气管道，设置在所述阴极单元的周围， 在所述阴极单元与设置在所述阳极侧的所述基板之间形成成膜空间， 在所述掩膜与所述阴极单元之间形成排气通道， 所述排气管道与所述成膜空间经由所述排气通道连接， 导入所述成膜空间的成膜气体通过所述排气通道从所述排气管道排出。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：清水康男，小形英之，松本浩一，野口恭史，若森让治，冈山智彦，森冈和，杉山哲康，重田贵司，栗原広行，桥本征典，若松贞次，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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