【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及薄膜太阳能电池制造装置。本申请基于2008年6月6日于日本申请的特愿2008-149934号主张优先权，在此 援用其内容。
技术介绍
现在的太阳能电池，单晶Si型和多晶Si型占据大半，人们担心Si的材料不足等。 因此，近年来，制造成本低且材料不足的风险小、形成有薄膜Si层的薄膜太阳能电池的需 求升高。进而，在仅具有a-Si (非晶硅)层的现有型的薄膜太阳能电池的基础上，最近通过 层积a-Si层与μ C-Si (微晶硅)层，从而实现光电转换效率提高的叠层型薄膜太阳能电池 的需求升高。这种薄膜太阳能电池的薄膜Si层(半导体层)的成膜多使用等离子体CVD装置。 作为这种等离子体CVD装置，存在群集式PE-CVD (等离子体CVD)装置、线列型PE-CVD装置、 批次式PE-CVD装置等。如果考虑薄膜太阳能电池的转换效率，上述叠层型太阳能电池的μ C-Si层与 a-Si层相比较需要成膜约5倍左右的膜厚(1.5μπι左右)。另外，由于yc-Si层需要均勻 地形成优质的微晶膜，因此加快成膜速度也是有界限的。因此，为了进行补偿，要求通过批 处理数的增加等来提高生...
【技术保护点】
一种薄膜太阳能电池制造装置，其特征在于，具有： 成膜室，以基板的成膜面与重力方向大致平行的方式配置所述基板，在所述成膜面上通过ＣＶＤ法形成膜； 电极单元，具有：施加有电压的阴极被配置在两侧的阴极单元、以及与所述各阴极分别对置且隔开间隔距离配置的一对阳极；以及 搬送部，支撑所述基板，将所述基板搬送到所述阴极与对置于所述阴极的所述阳极之间， 所述间隔距离可变。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：清水康男，小形英之，松本浩一，野口恭史，若森让治，冈山智彦，森冈和，杉山哲康，重田贵司，栗原広行，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。