一种提高铟掺杂氧化锌透明导电膜导电性能的方法技术

本发明专利技术涉及一种提高铟掺杂氧化锌透明导电膜导电性能的方法。该法采用在真空状态下或往退火炉内充入一定量的惰性气体（如氮气、氩气等）、氢气或他们的混合气体对ＩＺＯ透明导电膜进行退火处理，经退火处理后的ＩＺＯ透明导电膜电阻率显著降低，而且退火后能保持ＩＺＯ透明导电膜的高透过率。该法涉及的工艺条件为：气氛压强为１０－４～１０５Ｐａ，退火温度为８０～６００℃，退火时间为３秒～２４小时。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，属于光电子功能 材料

技术介绍
氧化物透明导电膜广泛应用于太阳能电池、平板显示等领域。掺锡氧化铟(ITO) 是当前应用最广泛的透明导电膜，但是铟含量非常高(> 90wt% )，而铟属于稀缺资源，这 就使ITO透明导电膜的成本高昂。氧化锌(ZnO)是一种廉价的宽禁带半导体，对于波长大于 400nm以上的光具有优良的透过性，掺杂III-V族杂质以后导电性能显著提高。目前，铟掺 杂的氧化锌(IZO)中铟含量 90%时，电阻率较低( I(T4Qcm) (Thin Solid Films, 2008, 516 2045 J. Korean Phys. Soc.，2004，45 732 ;Jpn. J. App 1. Phys.，2004，43 745)；而当 铟含量较低(< 10% )时电阻率一般都比较高( I(T3Qcm) (Thin Solid Films, 2005, 484 184 J Mater. Sci. 27(1992)4705 ；中国专利公开说明书 CN200680026929. 5)。为了降 低铟的使用量和透明导电膜的成本，目前许多科研本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高铟掺杂氧化锌透明导电膜导电性能的方法，其特征在于：该方法采用在真空状态下或往退火炉内充入一定量的惰性气体、氢气或他们的混合气体对ＩＺＯ透明导电膜进行退火处理。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曹永革，黄常刚，邓种华，王美丽，
申请(专利权)人：中国科学院福建物质结构研究所，
类型：发明
国别省市：35[中国|福建]