一种用于化学机械抛光装置的在线终点检测系统制造方法及图纸

技术编号:5004014 阅读:166 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术涉及一种用于化学机械抛光装置的在线终点检测系统,包括位于化学机械抛光装置上的传感器、数据采集器和工控机,其中传感器包括检测抛光盘转速的速度检测传感器和用来检测电机电流的电流检测传感器,所述速度检测传感器和电机电流检测传感器的输出端均通过接入数据采集器与工控机连接。本实用新型专利技术所述用于化学机械抛光装置的在线终点检测系统能够对化学机械抛光工艺进行实时、灵敏的在线终点检测,且能精确检测到化学机械抛光工艺的结束点。(*该技术在2019年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术提供一种用于化学机械抛光装置的在线终点检测系统,尤其涉及一种通过对抛光台驱动电机电流和速度获取实时信号曲线判断化学机械抛光工艺结束点的在 线终点检测系统。
技术介绍
在半导体工艺领域中,化学机械抛光是一种广泛应用的平坦化技术,用于材料的表面的平坦化和从基底的薄膜叠层控制性的去除材料层。化学机械抛光装置的主要构成部件有抛光盘、粘接在抛光盘上的抛光垫和吸附基板并带动基板旋转的抛光头。 化学机械抛光装置工作时,抛光头吸附住晶片并以一定的速度旋转,同时施加一定的下压力把晶片压在旋转的抛光垫上,由亚微米或纳米磨粒和化学溶液组成的抛光液在硅片与抛光垫之间流动,抛光液在抛光垫的传输和旋转离心力的作用下,均匀分布其上,在半导体基板和抛光垫之间形成一层液体薄膜,液体中的化学成分与半导体基板产生化学反应,将不溶物质转化为易溶物质,然后通过磨粒的微机械摩擦将这些化学反应物从硅片表面去除,溶入流动的液体中带走,即在化学成膜和机械去膜的交替过程中实现表面平坦化处理,从而达到全局平坦化的目的。 化学机械抛光工艺中,过抛光(材料去除过多)或欠抛光(材料去除不足)会导 致成品率低。CMP终点检测的常规方式是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于化学机械抛光装置的在线终点检测系统,其特征是包括位于化学机械抛光装置上的传感器、数据采集器和工控机,其中传感器包括检测抛光盘转速的速度检测传感器和用来检测电机电流的电流检测传感器,所述速度检测传感器和电机电流检测传感器的输出端均通过接入数据采集器与工控机连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:朱宗树吕文利魏唯
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第四十八研究所
类型:实用新型
国别省市:43[中国|湖南]

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