在基材上形成有阻挡层兼种子层的电子构件制造技术

本发明专利技术的目的在于提供采用更简易的方法形成ＵＬＳＩ微细铜配线的技术。一种电子构件，是在基材上形成有作为ＵＬＳＩ微细铜配线的阻挡层兼种子层使用的钨与贵金属的合金薄膜的电子构件，该合金薄膜的组成是钨为５０原子％以上、贵金属为５原子％～５０原子％。作为所述贵金属，优选是选自钌、铑、铱中的１种或２种以上的金属。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在基材上形成有ULSI微细铜配线的阻挡层兼种子层的电子构件。
技术介绍
作为ULSI (超大规模集成电路；ultra-large scale integration)微细铜配线 (大马士革铜配线；damascene copper wiring)的铜的成膜方法，已知通过无电解镀铜设置 种子层(籽晶层；seed layer)，通过电镀铜来形成铜膜的方法。以往，在如半导体晶片那样的镜面上进行无电解镀铜的场合，析出的镀膜难以获 得充分的粘附性。并且，镀层的反应性低，也难以在基板整个面上进行均勻的镀覆。过去， 在采用例如无电解镀法在氮化钽等的阻挡金属层上形成铜种子层的场合，存在难以均勻地 形成镀层且粘附力不充分的问题。本专利技术者们已发现在无电解镀铜液中加入作为添加剂的重均分子量(Mw)小的 水溶性含氮聚合物，另一方面在镀液浸渍前使催化剂金属附着在被镀物的基板上，或者预 先在最表面上将催化剂金属进行成膜后，通过浸渍在镀液中借助于氮原子使聚合物吸附在 该催化剂金属上可抑制镀层的析出速度，并且晶体非常微细化，能够在如晶片那样的镜面 上形成膜厚15nm以下的均勻薄膜(专利文献1)。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子构件，是在基材上形成有作为ＵＬＳＩ微细铜配线的阻挡层兼种子层使用的钨与贵金属的合金薄膜的电子构件，该合金薄膜的组成是钨为５０原子％以上、贵金属为５原子％～５０原子％。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2008-3-19 070856/2008一种电子构件，是在基材上形成有作为ULSI微细铜配线的阻挡层兼种子层使用的钨与贵金属的合金薄膜的电子构件，该合金薄膜的组成是钨为50原子％以上、贵金属为5原子％～50原子％。2.根据权利要求1所述的电子构件，其中，所述合金薄膜还含有低于5原子％的电...

【专利技术属性】
技术研发人员：关口淳之辅，伊森彻，
申请(专利权)人：日矿金属株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]