【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种新型的InSb磁敏芯片,尤其涉及一种超远距离磁接近转速传感器, 用于检测距离远超于同类产品,且检测对象可以是检测永磁体也可以是铁磁材料,包括弱磁。
技术介绍
目前国内外已知的InSb芯片在结构上同,其衬底是陶瓷材料,由于芯片在使用过程中磁 场与InSb感应面的距离过远,导致灵敏度太小,当被测定目标物体接近磁敏感区时,所输出 电压偏小,给后期应用带来困难。
技术实现思路
1、 所要解决的技术问题提高灵敏度及输出电压。 本技术提供了一种新型的InSb磁敏芯片。2、 技术方案本技术包括InSb磁敏单晶1、粘接物质2、后置磁铁4、超导磁材料5; InSb磁敏 单晶1通过粘接物质2反贴在超导磁材料5上,后置磁场4与超导磁材料5合为整体。3、 有益效果采用本技术的结构可使芯片在使用过程中信号与InSb感应面的距离过远时,灵敏度 依然很高。由于超导磁材料直接和芯片接触,縮小了后置磁场对InSb的感应距离,使得磁敏 芯片对外感应信号灵敏度增强的同时,在使用过程中把感应信号转换成电信号时,所输出的 电压就越高,用该芯片生产出的各类传感器给后期的安装调试带来方便。附图说明图1为现有的InSb磁敏芯片结构示意图; 图2为本技术的结构示意图。具体实施方式在图1中,l为InSb磁敏单晶;2为粘接物质;3为陶瓷基底;4为后置磁铁。InSb磁 敏单晶1通过粘接物质2反贴在陶瓷基底3上,由后置磁铁4的磁场对InSb磁敏单晶1的作用距离拉远,后置磁场4对InSb单晶1的作用减小,所以直接影响InSb单晶1的灵敏度。在图2中,l为InSb磁敏单晶;2为粘接物质;5为超导磁材料;4为后 ...
【技术保护点】
一种新型的InSb磁敏芯片,包括InSb磁敏单晶(1)、粘接物质(2)、后置磁铁(4),其特征在于:还包括超导磁材料(5);InSb磁敏单晶(1)通过粘接物质(2)反贴在超导磁材料(5)上,后置磁场(4)与超导磁材料(5)合为整体。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:牛德文,
申请(专利权)人:南京新捷中旭微电子有限公司,
类型:实用新型
国别省市:84[中国|南京]
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