一种用于纠正硅片位置偏移的检测系统及其检测方法技术方案

技术编号:46631601 阅读:3 留言:0更新日期:2025-10-14 21:31
本发明专利技术公开了一种用于纠正硅片位置偏移的检测系统及其检测方法,涉及硅片位置偏移检测技术领域,该用于纠正硅片位置偏移的检测系统,包括载物组件,所述载物组件的外部设置有支撑架,所述支撑架的一端设置有驱动电机,且驱动电机带动载物组件转动,所述支撑架的另一端设置有稳定组件,所述载物组件的后端设置有移动组件,所述移动组件包括安装架和Z轴滑轨,本方案解决了现有硅片的放入位置与曝光位置并不是完全契合的,硅片在移载的运动过程中会产生晃动及振动,使硅片产生移位偏差,容易导致硅片在经过运动后到达曝光位的静止位置,会偏离曝光结构的起始位置,这就造成曝光位置错误而无法实现曝光的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硅片位置偏移检测,具体为一种用于纠正硅片位置偏移的检测系统及其检测方法


技术介绍

1、硅片曝光是光刻工艺中的核心步骤,通过紫外光源将掩模版上的图形精准转印到硅片表面的光刻胶层中,该工艺利用光敏材料在特定光源照射下发生化学反应,形成与掩模版一致的图形,后续通过显影、刻蚀等步骤将图形转移到硅片或金属层上;

2、例如公告号为cn222580400u的中国授权专利(曝光设备):包括硅片;曝光装置,所述曝光装置用于对所述硅片进行曝光;掩膜板,所述掩膜板设置于所述曝光装置和所述硅片之间,所述掩膜板和所述硅片之间设置有间隙;对位装置,所述掩膜板与所述对位装置相连接,所述对位装置驱动所述掩膜板上下移动;气体喷射装置,所述气体喷射装置与所述对位装置相连接,用于在曝光结束后向所述间隙喷射气体。其中,气体喷射装置在曝光完毕后向硅片和掩膜板之间的间隙喷射气体,以消除掩膜板快速抬升导致其与硅片间形成的负压状态,避免硅片移动甚至破碎。

3、现有的硅片的放入位置与曝光位置并不是完全契合的,硅片在移载的运动过程中会产生晃动及振动,使硅片产生移位偏差本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于纠正硅片位置偏移的检测系统,包括载物组件(1),其特征在于:所述载物组件(1)的外部设置有支撑架(2),且载物组件(1)和支撑架(2)均设置有多个,所述支撑架(2)的下端设置有稳定底架(37),所述支撑架(2)的一端设置有驱动电机(3),且驱动电机(3)带动载物组件(1)转动,所述支撑架(2)的另一端设置有稳定组件(4),所述载物组件(1)的后端设置有移动组件(5),所述移动组件(5)包括安装架(6)和Z轴滑轨(9),且Z轴滑轨(9)位于安装架(6)的上端,所述Z轴滑轨(9)的移动端设置有Y轴滑轨(8),且Y轴滑轨(8)沿着Z轴滑轨(9)上下移动,所述Y轴滑轨(8)的移动端设...

【技术特征摘要】

1.一种用于纠正硅片位置偏移的检测系统,包括载物组件(1),其特征在于:所述载物组件(1)的外部设置有支撑架(2),且载物组件(1)和支撑架(2)均设置有多个,所述支撑架(2)的下端设置有稳定底架(37),所述支撑架(2)的一端设置有驱动电机(3),且驱动电机(3)带动载物组件(1)转动,所述支撑架(2)的另一端设置有稳定组件(4),所述载物组件(1)的后端设置有移动组件(5),所述移动组件(5)包括安装架(6)和z轴滑轨(9),且z轴滑轨(9)位于安装架(6)的上端,所述z轴滑轨(9)的移动端设置有y轴滑轨(8),且y轴滑轨(8)沿着z轴滑轨(9)上下移动,所述y轴滑轨(8)的移动端设置有x轴滑轨(7),且x轴滑轨(7)沿着y轴滑轨(8)横向移动,所述支撑架(2)的前表面设置有顶板安装架(40),所述顶板安装架(40)的一侧设置有旋转顶板(39),所述旋转顶板(39)的下端设置有变频电机(38),且变频电机(38)的输出端带动旋转顶板(39)转动。

2.根据权利要求1所述的一种用于纠正硅片位置偏移的检测系统,其特征在于:所述x轴滑轨(7)的移动端设置有连接板(10),所述连接板(10)的下端设置有曝光组件(11),所述安装架(6)的上表面设置有安装槽(12),所述z轴滑轨(9)的底端设置有安装座(13),且安装座(13)外接螺丝固定在安装槽(12)内部,所述安装架(6)的底端一侧设置有衔接板(14),且安装架(6)通过衔接板(14)外接螺丝与稳定底架(37)固定。

3.根据权利要求2所述的一种用于纠正硅片位置偏移的检测系统,其特征在于:所述曝光组件(11)包括定位板(15)和曝光机(17),所述曝光机(17)的上端设置有安装盘(18),且曝光机(17)通过安装盘(18)外接螺丝与定位板(15)固定。

4.根据权利要求3所述的一种用于纠正硅片位置偏移的检测系统,其特征在于:所述定位板(15)的两端下表面均设置有第一点激光测量仪(16)和ccd相机模块,且第一点激光测量仪(16)设置有多个。

5.根据权利要求4所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员:钟顺梓曹旸程珂
申请(专利权)人:青岛芯微半导体科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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