一种半导体瞬态热测试结果分析方法及系统技术方案

本发明专利技术涉及半导体瞬态热测试结果分析方案设计技术领域，具体涉及一种半导体瞬态热测试结果分析方法及系统。方法包括：采集温度响应原始数据，通过混合滤波与漂移补偿算法进行预处理；构建含界面热阻校正因子的多层结构函数模型解析热容分布；采用遗传算法自动优化热阻网络拓扑；结合芯片布局数据应用张量分解实现热源贡献解耦；最终通过电热耦合仿真验证参数准确性。系统包括数据采集模块及执行各阶段算法的控制模块。本发明专利技术解决了传统方法中噪声干扰补偿不足、热传递路径建模误差大、多热源耦合难以量化三大技术缺陷，显著提升了测试结果的可信度与实用性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体瞬态热测试结果分析方案设计，具体涉及一种半导体瞬态热测试结果分析方法及系统。

技术介绍

1、半导体器件在工作过程中产生的瞬态温升直接影响其可靠性与性能。传统瞬态热测试结果分析面临三大技术瓶颈：其一，测试系统采集的温度响应原始数据易受高频开关噪声及环境温度漂移干扰，导致有效信号失真；其二，热容分布解析过程中，因多层材料界面热阻累积误差难以准确修正，传统结构函数模型精度不足；其三，多热源耦合工况下，受限于热阻网络拓扑构建的主观性和算法局限，无法量化各热源贡献分量。现有方法多采用固定阈值滤波，对环境温度漂移仅作线性补偿，热容计算忽略界面效应影响，且热阻网络依赖人工经验构建，导致热路径解析误差扩大。此外，热物理参数与电气性能缺乏协同验证机制，测试结果难以指导芯片热设计优化。因此亟需一种能抑制复合噪声、精确建模热传递路径、实现多热源解耦且具备电热验证能力的分析方法。

2、因此，现有技术还有待进一步发展。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于克服上述技术不足，提供一种半导体瞬态热测试结果本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体瞬态热测试结果分析方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S100中的自适应噪声抑制处理包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤S100中的环境温度漂移补偿算法包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S200中的多层结构函数模型包括：

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S300中的非线性拟合算法包括：

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S400中的热贡献分量解耦包括：

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步...

【技术特征摘要】

1.一种半导体瞬态热测试结果分析方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤s100中的自适应噪声抑制处理包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤s100中的环境温度漂移补偿算法包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤s200中的多层结构函数模型包括：

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤s300中...

【专利技术属性】
技术研发人员：王正伟，张金庄，李成岩，
申请(专利权)人：北京中物赤霄云科技有限公司，
类型：发明
国别省市：