一种鼻黏膜间充质干细胞培养基及其应用制造技术

本申请涉及一种鼻黏膜间充质干细胞培养基及其应用，属于干细胞培养技术领域，所述培养基由基础培养基、添加剂和添加因子组成，其中，所述添加因子包含选自下组中的一种或多种：丙酮酸、Notch信号通路抑制剂、脑源性神经营养因子，本申请的培养基显著提升了人鼻黏膜间充质干细胞的增殖效率与分化潜能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于干细胞培养，具体涉及一种无血清鼻黏膜间充质干细胞培养基，以及该培养基在增强干细胞增殖能力、维持干性中的应用。

技术介绍

1、鼻黏膜间充质干细胞是一种来源于外胚层神经嵴的成体干细胞，可从呼吸部的黏膜取材，包括中、下鼻甲及相应的鼻道及鼻中隔中下部分黏膜。与嗅黏膜相比，呼吸黏膜取材量大且对嗅觉无损伤，取材过程明显减轻病人的痛苦。

2、但现有的鼻黏膜间充质干细胞培养基存在一定的局限性：1、血清依赖性：传统培养基需添加胎牛血清(fbs)，存在免疫原性风险和批次间质量差异；2、复制性衰老：常规培养中鼻黏膜间充质干细胞易发生自发分化，传代后增殖能力下降，且成骨分化潜能受限。

3、因此，本领域仍亟需开发一种无血清的高效扩增鼻黏膜间充质干细胞的培养基。

技术实现思路

1、第一方面，本申请提供一种鼻黏膜间充质干细胞的培养基，所述培养基由基础培养基、添加剂和添加因子组成，其中，所述添加因子包含选自下组中的一种或多种：丙酮酸、notch信号通路抑制剂、脑源性神经营养因子。p>

2、可选的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种鼻黏膜间充质干细胞的培养基，所述培养基由基础培养基、添加剂和添加因子组成，其中，所述添加因子包含选自下组中的一种或多种：丙酮酸、Notch信号通路抑制剂、脑源性神经营养因子。

2.根据权利要求1所述的培养基，其中所述添加因子由丙酮酸、Notch信号通路抑制剂、脑源性神经营养因子组成。

3.根据权利要求1所述的培养基，其中所述Notch信号通路抑制剂为DAPT。

4.根据权利要求1所述的培养基，其中所述基础培养基为DMEM/F12。

5.根据权利要求1所述的培养基，其中所述添加剂包含选自下组中的一种或多种：血清替代物、N2、B27、维...

【技术特征摘要】

1.一种鼻黏膜间充质干细胞的培养基，所述培养基由基础培养基、添加剂和添加因子组成，其中，所述添加因子包含选自下组中的一种或多种：丙酮酸、notch信号通路抑制剂、脑源性神经营养因子。

2.根据权利要求1所述的培养基，其中所述添加因子由丙酮酸、notch信号通路抑制剂、脑源性神经营养因子组成。

3.根据权利要求1所述的培养基，其中所述notch信号通路抑制剂为dapt。

4.根据权利要求1所述的培养基，其中所述基础培养基为dmem/f12。

5.根据权利要求1所述的培养基，其中所述添加剂包含选自下组中的一种或多种...

【专利技术属性】
技术研发人员：毕薇薇，王甜甜，余俊健，张雨璐，曾赤佳，
申请(专利权)人：广州禅健生物科技有限公司，
类型：发明
国别省市：