【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体测试装置及其制造方法。更具体地,涉及一种能够通过与半导体器件的微凸块接触进行测试的半导体测试装置及其制造方法。
技术介绍
1、随着半导体技术的飞跃发展,对于半导体集成器件的封装技术的需求,也逐渐呈现高集成化和高性能化的趋势。因此,正在不断开发各种技术,以摆脱使用导线或凸块将形成有集成电路的半导体芯片平铺在印刷电路板pcb上的二维结构,并实现多个半导体芯片垂直堆叠的三维结构。
2、该三维结构可以通过用于垂直堆叠多个半导体芯片的堆叠式半导体器件来实现。而且,这些垂直安装的半导体芯片通过硅通孔(through silicon via;tsv)互相电连接,并安装在半导体封装基板上。
3、对于堆叠式半导体器件,为了促进堆叠的半导体芯片之间的物理接触,可以布置微型凸块。由于堆叠的半导体芯片通过tsv和凸块传输各种信号,因此需要进行测试以确保它们正常连接。
技术实现思路
1、技术问题
2、因此,本专利技术是为了解决如上所述的现有技术中的诸多问题而提
...【技术保护点】
1.一种半导体测试装置,其用于测试半导体的电连接,该装置包括:
2.如权利要求1所述的半导体测试装置,其中,
3.如权利要求1所述的半导体测试装置,其中,
4.如权利要求3所述的半导体测试装置,其中,
5.如权利要求4所述的半导体测试装置,其中,
6.如权利要求3所述的半导体测试装置,其中,
7.如权利要求6所述的半导体测试装置,其中,
8.如权利要求7所述的半导体测试装置,其中,
9.如权利要求1所述的半导体测试装置,其中,
10.如权利要求1所述的半导体测试
...【技术特征摘要】
1.一种半导体测试装置,其用于测试半导体的电连接,该装置包括:
2.如权利要求1所述的半导体测试装置,其中,
3.如权利要求1所述的半导体测试装置,其中,
4.如权利要求3所述的半导体测试装置,其中,
5.如权利要求4所述的半导体测试装置,其中,
6.如权利要求3所述的半导体测试装置,其中,
7.如权利要求6所述的半导体测试装置,其中,
8.如权利要求7所述的半导体测试装置,其中,
9.如权利要求1所述的半导体测试装置,其中,
10.如权利要求1所述的半导体测试装置,其中,
11.如权利要求10所述的半导体测试装置,其中,
12.如权利要求1所述的半...
【专利技术属性】
技术研发人员:张泽龙,金武谦,李永浩,李在燮,
申请(专利权)人:悟劳茂材料公司,
类型:发明
国别省市:
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