【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电路板,尤其涉及一种具有玻璃基板的电路板及其制备方法。
技术介绍
1、随着半导体电路的不断发展,pcb的线路设计变得越来越复杂,基板的厚度需求也变得越来越薄,因此亟需一款新型的基板以取代现有的树脂基板。玻璃基板则是最有潜力的基板之一。
2、玻璃基板具有优越的热稳定性、电气性能、机械强度、化学耐受性以及尺寸稳定性。目前制作玻璃通孔(tgv)的技术主要有:喷砂法、光敏玻璃法、聚焦放电法、深反应离子蚀刻法、激光烧蚀法、电化学放电加工法、激光诱导蚀刻法等。但上述方法仍存在较大的挑战:打孔过程中的热效应会造成孔壁出现微裂纹等损伤,影响后续的金属填充;制程精度低,孔径过大;通孔呈现锥形(上宽下窄),影响后续导体材料填充,形成的导电孔不稳定;加工效率低,时间成本高。
技术实现思路
1、有鉴于此,本申请提出一种具有玻璃基板的电路板及其制备方法,以解决现有玻璃基板电路板的通孔(导电孔)有裂纹损伤、孔径过大、精度低、稳定性低的问题。
2、本申请一实施方式提供一种具有玻璃基板的
...【技术保护点】
1.一种具有玻璃基板的电路板的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:
2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述玻璃材料的熔点在600℃以下,所述导体层的熔点在1000℃以上。
3.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述退火的步骤中,退火温度为465℃~500℃,退火时间为30min~60min。
4.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述冷却的步骤中,冷却速率为5℃/h~10℃/h。
5.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在所述熔融的玻璃材料形成玻璃基板的步骤之后,所述制备方法还包括:
...【技术特征摘要】
1.一种具有玻璃基板的电路板的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:
2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述玻璃材料的熔点在600℃以下,所述导体层的熔点在1000℃以上。
3.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述退火的步骤中,退火温度为465℃~500℃,退火时间为30min~60min。
4.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述冷却的步骤中,冷却速率为5℃/h~10℃/h。
5.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在所述熔融的玻璃材料形成玻璃基板的步骤之后,所述制备方法还包括:研磨所述玻璃基板,使所述玻璃基板背离所述铜箔层的表面与所述导通层背离所述铜箔层的表面平齐。
6.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,...
【专利技术属性】
技术研发人员:汪佳慧,林原宇,郭凌宇,刘悦,
申请(专利权)人:宏启胜精密电子秦皇岛有限公司,
类型:发明
国别省市:
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