一种基于碳化硅MOS管的高压直流电源系统技术方案

本发明专利技术提供了一种基于碳化硅MOS管的高压直流电源系统，涉及电源技术领域，包括高压直流电源输入单元、功率单元、至少三个隔离单元和高压直流电源输出单元，功率单元的一端与高压直流电源输入单元相连接，另一端分别与各个隔离单元的一端相连接，隔离单元的另一端与高压直流电源输出单元相连接；功率单元包括碳化硅MOS管电路、功率单元二极管电路、功率单元电容电路和功率单元输出电路；功率单元输出电路包括限流电感输出电路、二极管输出电路和电容输出电路；隔离单元包括变压器电路和隔离单元二极管电路；变压器电路包括原边绕组、钳位绕组和副边绕组。本发明专利技术实现了提高电源输出电压的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电源，具体而言，涉及一种基于碳化硅mos管的高压直流电源系统。

技术介绍

1、高压直流电源因其高效率、稳定性和可控性，在多个领域有广泛应用。传统高压电源电路通常采用分槽多绕组输出，每个绕组单独整流和倍压，最后串联达到所需的电压。但由于其主电路本身的负载特性，使得它们在面对负载变化时的响应速度和稳定性较差，导致输出电压不稳定。

技术实现思路

1、本专利技术解决的问题如何提高电源输出电压的稳定性。

2、为解决上述问题，本专利技术提供一种基于碳化硅mos管的高压直流电源系统。

3、本专利技术提供了一种基于碳化硅mos管的高压直流电源系统，包括高压直流电源输入单元、功率单元、至少三个隔离单元和高压直流电源输出单元，功率单元的一端与高压直流电源输入单元相连接，另一端分别与各个隔离单元的一端相连接，隔离单元的另一端与高压直流电源输出单元相连接；

4、功率单元包括碳化硅mos管电路、功率单元二极管电路、功率单元电容电路和功率单元输出电路，其中，碳化硅mos管电路、功率单元二本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于碳化硅MOS管的高压直流电源系统，其特征在于，包括高压直流电源输入单元、功率单元、至少三个隔离单元和高压直流电源输出单元，所述功率单元的一端与高压直流电源输入单元相连接，另一端分别与各个所述隔离单元的一端相连接，所述隔离单元的另一端与所述高压直流电源输出单元相连接；

2.根据权利要求1所述的基于碳化硅MOS管的高压直流电源系统，其特征在于，所述高压直流电源输入单元包括直流母线正极输入电路和直流母线负极输入电路。

3.根据权利要求2所述的基于碳化硅MOS管的高压直流电源系统，其特征在于，所述碳化硅MOS管电路包括第一碳化硅MOS管和第二碳化硅MOS管，所...

【技术特征摘要】

1.一种基于碳化硅mos管的高压直流电源系统，其特征在于，包括高压直流电源输入单元、功率单元、至少三个隔离单元和高压直流电源输出单元，所述功率单元的一端与高压直流电源输入单元相连接，另一端分别与各个所述隔离单元的一端相连接，所述隔离单元的另一端与所述高压直流电源输出单元相连接；

2.根据权利要求1所述的基于碳化硅mos管的高压直流电源系统，其特征在于，所述高压直流电源输入单元包括直流母线正极输入电路和直流母线负极输入电路。

3.根据权利要求2所述的基于碳化硅mos管的高压直流电源系统，其特征在于，所述碳化硅mos管电路包括第一碳化硅mos管和第二碳化硅mos管，所述第一碳化硅mos管的漏极与所述直流母线正极输入电路相连接，所述第一碳化硅mos管的源极与所述限流电感输出电路相连接，所述第二碳化硅mos管的漏极与所述限流电感输出电路相连接，所述第二碳化硅mos管的源极与所述直流母线负极输入电路相连接。

4.根据权利要求2所述的基于碳化硅mos管的高压直流电源系统，其特征在于，所述功率单元二极管电路包括第一整流二极管和第二整流二极管，所述第一整流二极管的阴极与所述直流母线正极输入电路相连接，所述第一整流二极管的阳极与所述二极管输出电路相连接，所述第二整流二极管的阴极与所述二极管输出电路相连接，所述第二整流二极管的阳极与所述直流母线负极输入电路相连接。

5.根据权利要求2所述的基于碳化硅mos管的高压直流电源系统，其特征在于，所述电容输出电路包括第一电容和第二电容，所述第一电容的一端与所述直流母线正极输入电路相连接，另一端与所述电容输出电路相连接，所述第二电容的一端与所述电容输出电路相连接，另一端与所述直流母线负极输入电路相连接。

6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：张迪，常军，张晓斌，郭小龙，李春龙，白小青，张建荣，
申请(专利权)人：西安爱科赛博电气股份有限公司，
类型：发明
国别省市：