一种半桥功率模块结构制造技术

本发明专利技术提供了一种半桥功率模块结构，包括相对设置的第一表面和第二表面；端子区域，位于第二表面；端子区域含有一功率端子区和一信号端子区；半桥功率模块结构内部含有芯片层和布线层，芯片层含有上功率芯片和下功率芯片；功率端子区含有第一功率端子、第二功率端子和第三功率端子；信号端子区含有第一信号端子和第二信号端子；散热层，位于芯片层与第一表面之间或设置在第一表面上；布线层与散热层之间有一绝缘层；从第二表面至第一表面的方向端子区域和芯片层的投影落在散热层所在范围之内。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体涉及一种半桥功率模块结构。

技术介绍

1、功率模块在新能源汽车、新能源发电、智能电网、交通电气化等领域得到广泛应用。随着行业发展，功率模块的小型化成为必然趋势，相对应还带来了散热需求的增加。为了增强散热能力，往往使用顶部散热的封装形式，但是顶部散热封装的功率端子从侧部引出，占地面积较大。如图1，英飞凌公司的顶部散热tolt封装是一种塑封单管结构，功率器件的功率端子和信号端子从塑封体侧面引出，导致封装大小远大于功率芯片大小，降低了空间利用率。

2、因此，如何解决功率模块占用空间面积过大的问题，是本领域技术人员关注的焦点。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是提出一种半桥功率模块结构，可以解决功率模块占用空间面积过大的问题。

2、为了实现上述目的，本专利技术提供了一种半桥功率模块结构，所述半桥功率模块结构包括相对设置的第一表面和第二表面；

3、端子区域，位于所述第二表面；

4、所述端子区域含有一功率端子区和一信号端子区，且所述功率端子区与所本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半桥功率模块结构，其特征在于，所述半桥功率模块结构包括相对设置的第一表面和第二表面；

2.如权利要求1所述的半桥功率模块结构，其特征在于，所述功率端子区与所述信号端子区设置在所述第二表面相对的两侧。

3.如权利要求1所述的半桥功率模块结构，其特征在于，所述上/下功率芯片为垂直型MOSFET，第一极为漏极，在所述上/下功率芯片的下表面；第二极为源极，在所述上/下功率芯片的上表面；第三极为栅极，在所述上/下功率芯片的上表面。

4.如权利要求1所述的半桥功率模块结构，其特征在于，所述上/下功率芯片为平面型MOSFET，第一极为漏极，在所述上/下功率芯...

【技术特征摘要】

1.一种半桥功率模块结构，其特征在于，所述半桥功率模块结构包括相对设置的第一表面和第二表面；

2.如权利要求1所述的半桥功率模块结构，其特征在于，所述功率端子区与所述信号端子区设置在所述第二表面相对的两侧。

3.如权利要求1所述的半桥功率模块结构，其特征在于，所述上/下功率芯片为垂直型mosfet，第一极为漏极，在所述上/下功率芯片的下表面；第二极为源极，在所述上/下功率芯片的上表面；第三极为栅极，在所述上/下功率芯片的上表面。

4.如权利要求1所述的半桥功率模块结构，其特征在于，所述上/下功率芯片为平面型mosfet，第一极为漏极，在所述上/下功率芯片的上表面，第二极为源极，在所述上/下功率芯片的上表面；第三极为栅极，在所述上/下功率芯片的上表面。

5.如权利要求1所述的半桥功率模块结构，其特征在于，所述上/下功率芯片为平面型hemt，第一极为漏极，在所述上/下功率芯片的上表面，第二极为源极，在所述上/下功率芯片的上表面；第三极为栅极，在所述上/下功率芯片的上表面。

6.如权利要求1所述的半桥功率模块结构，其特征在于，所述上/下功...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐海滨，白淼光，徐贺，朱楠，
申请(专利权)人：致瞻科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：