【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关一种固晶方法，尤其是一种防止产生气泡的加热固晶方法。
技术介绍
1、集成电路借由大批方式，经过多道程序，制作在半导体晶圆上，晶圆进一步分割成多个晶粒。换言之，晶粒是以半导体材料制作而成未经封装的一小块集成电路本体。分割好的多个晶粒整齐贴附在一承载装置上，接着一承载框负责运送承载装置，然后将所述多个晶粒依序转移至基板，从而利于进行后续加工程序。
2、进一步地说，在晶粒转移至基板的过程中，晶粒的局部区块接触基板以形成一贴合波(bond wave)。贴合波从晶粒的局部区块往晶粒的其他区块的方向扩散，使得晶粒逐渐固定于基板上。
3、然而，晶粒与基板之间可能会共同包住空气或水气而产生气泡并形成空洞(void)。如果晶粒与基板之间有空洞，则晶粒与基板没有紧密贴合，将会导致挑拣或辨识等晶粒的后续加工程序容易受到气泡的影响，降低后续加工制成的产品良率。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供一种防止产生气泡的加热固晶方法，能够避免晶粒与基板共同包住空气或水气...
【技术保护点】
1.一种防止产生气泡的加热固晶方法，其特征在于，包括下列步骤：
2.根据权利要求1所述的防止产生气泡的加热固晶方法，其特征在于，将所述液体分布在所述基板上包括：一固晶装置吸取所述晶粒；其中，所述晶粒在所述液体中放置在所述基板上包括：所述固晶装置往下移动，使得所述晶粒逐渐靠近所述基板并且进入所述液体中。
3.根据权利要求2所述的防止产生气泡的加热固晶方法，其特征在于，对所述晶粒加热包括：所述固晶装置对所述晶粒加热；其中，对所述晶粒加热加压包括：所述固晶装置对所述晶粒加热加压；其中，停止对所述晶粒加热加压包括：所述固晶装置停止对所述晶粒加热加压。<...
【技术特征摘要】
1.一种防止产生气泡的加热固晶方法，其特征在于，包括下列步骤：
2.根据权利要求1所述的防止产生气泡的加热固晶方法，其特征在于，将所述液体分布在所述基板上包括：一固晶装置吸取所述晶粒；其中，所述晶粒在所述液体中放置在所述基板上包括：所述固晶装置往下移动，使得所述晶粒逐渐靠近所述基板并且进入所述液体中。
3.根据权利要求2所述的防止产生气泡的加热固晶方法，其特征在于，对所述晶粒加热包括：所述固晶装置对所述晶粒加热；其中，对所述晶粒加热加压包括：所述固晶装置对所述晶粒加热加压；其中，停止对所述晶粒加热加压包括：所述固晶装置停止对所述晶粒加热加压。
4.根据权利要求2所述的防止产生气泡的加热固晶方法，其特征在于，对所述晶粒加热包括：一光源对所述晶粒加热；其中，对所述晶粒加热加压包括：所述光源对所述晶粒加热，同时所述固晶装置对所述晶粒加压；其中，停止对所述晶粒加热加压包括：所述光源停止对所述晶粒加热，同时所述固晶装置停止对所述晶粒加压。
5.根据权利要求1所述的防止产生气泡的加热固晶方法，其特征在于，对所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢彦豪，
申请(专利权)人：梭特科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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