磨削砂轮的整形修整装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种磨削砂轮(16)的整形修整方法，用于晶片(W)倒角装置，作为粗加工，利用粗磨修整器(10‑1)，以使磨削砂轮(16)成为粗磨目标形状的方式，留下整形修整的加工余量，高速进行整形修整，在磨削砂轮(16)达到粗磨目标形状的容许范围的情况下，作为精加工，利用砂轮的粒度号比粗磨修整器(10‑1)大的精磨修整器(10‑2)，整形修整成为精磨目标形状，采用该整形修整方法，不仅能够高精度、高质量地进行具有复杂槽形状的磨削砂轮的成型，还能够缩短难加工材料的整形修整所需的时间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及一种用于半导体晶片端面倒角装置的具有槽形状的磨削砂轮的整形修整装置及方法。

技术介绍

1、近年来，半导体晶片等产品趋向多品种小批量生产。用于晶片倒角加工的具有槽形状的磨削砂轮，出于多品种小批量生产、提升晶片质量、提高成品率等目的，不仅对高精度和形状变更的需求提高，对高速化的需求也在提高。

2、此外，使用以碳(c)和硅(si)的化合物即碳化硅(sic)为代表的超宽带隙(uwbg)较大且构成晶体的原子间的键合较强的高硬度材料、例如氮化镓(gan)、氧化镓、氮化铝镓(algan)、金刚石等制造的半导体，有望作为比硅半导体更小型、低功耗、高效率的功率器件、高频器件及耐辐射性能优异的半导体材料，正逐步走向实用化。然而，4h-sic等uwbg材料属于难加工材料，对磨削砂轮的槽形状的高精度化和质量提高提出了更高要求。

3、半导体原材料晶片的制造过程中的倒角加工需要反复进行用修整器整形修整(磨削)磨削砂轮(精磨)、精磨晶片、测定磨削后晶片的边缘形状，直至晶片达到预期形状。因此，磨削砂轮的整形修整特别要求高速且高精度地进行。

4本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种磨削砂轮的整形修整装置，其用于晶片倒角装置，其中，具备：

2.根据权利要求1所述的磨削砂轮的整形修整装置，其中，

3.根据权利要求2所述的磨削砂轮的整形修整装置，其中，

4.根据权利要求3所述的磨削砂轮的整形修整装置，其中，

5.根据权利要求4所述的磨削砂轮的整形修整装置，其中，

6.根据权利要求5所述的磨削砂轮的整形修整装置，其中，

7.根据权利要求2所述的磨削砂轮的整形修整装置，其中，具备：

8.根据权利要求7所述的磨削砂轮的整形修整装置，其中，具备：

9.一种磨削砂轮的整形修整方...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种磨削砂轮的整形修整装置，其用于晶片倒角装置，其中，具备：

2.根据权利要求1所述的磨削砂轮的整形修整装置，其中，

3.根据权利要求2所述的磨削砂轮的整形修整装置，其中，

4.根据权利要求3所述的磨削砂轮的整形修整装置，其中，

5.根据权利要求4所述的磨削砂轮的整形修整装置，其中，

【专利技术属性】
技术研发人员：津留太良，
申请(专利权)人：株式会社东京精密，
类型：发明
国别省市：

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