用于制造磁传感器的方法技术

本发明专利技术涉及一种用于制造磁传感器的方法，其中，在衬底的前侧的表面中产生或形成至少一个挖深部，其中，在至少一个挖深部的底部上，在镀锌工艺框架内生长磁性材料，使得作为镀锌工艺的最终结果形成至少一个至少部分影响磁场的元件，即磁流引导元件，其中，形成至少一个与衬底连接的磁感应元件，使得相对于衬底的前侧，所述磁感应元件布置得比至少一个由镀锌生长的磁性材料组成的磁流引导元件更高。本发明专利技术还涉及一种磁传感器。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种用于制造磁传感器的方法以及一种磁传感器。

技术介绍

1、在磁传感器的制造中，通常需要产生定向引导、集中或屏蔽外部待测量磁场的装置，以实现特定的感应范围、特定的灵敏度或特定的感应方向。这种磁流引导元件例如可以由几微米厚的软磁材料层构成。

2、感应元件例如可以在半导体兼容工艺中在硅片(晶圆)上制造。磁流引导元件对感应元件处磁流的引导、屏蔽或集中作用，随着感应元件与屏蔽元件之间的垂直距离越小而越强。在此，感应元件可以横向布置在磁流引导元件的区域的内部和/或外部。为了最小化垂直距离，磁流引导元件可以作为晶圆工艺的一部分，在实际感应元件的制造之前直接在晶圆上制造。例如，这种磁流引导元件可以在选择性电镀锌工艺的框架内在晶圆上生长(选择性电镀)。在此，不应生长材料的表面必须通过不导电材料保护。如果这种材料例如由光刻胶组成，那么出于热稳定性的原因，在产生屏蔽元件后必须将所述光刻胶去除。在这种情况下，通常会在磁流引导元件与磁流引导元件外部的区域之间形成几微米高的表面形貌台阶，这会严重阻碍典型半导体工艺中的后续加工。

<p>3、替代地，如果本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于制造磁传感器(1400)的方法，其包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，去除所述电绝缘层包括执行光刻工艺，根据所述光刻工艺，借助于蚀刻工艺执行从所述导电籽晶层(501)至少局部地去除要去除的电绝缘层，尤其是介电层。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在执行所述镀锌工艺之后，尤其是在沉积另一介电层之后，在所述衬底(201)的表面(203)上执行化学机械抛光工艺，以形成平坦的表面。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述籽晶材料包括以下一种或多种材料：Ta、TaN、Cu、Ti、TiN、Cr和NiFe。

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种用于制造磁传感器(1400)的方法，其包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，去除所述电绝缘层包括执行光刻工艺，根据所述光刻工艺，借助于蚀刻工艺执行从所述导电籽晶层(501)至少局部地去除要去除的电绝缘层，尤其是介电层。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在执行所述镀锌工艺之后，尤其是在沉积另一介电层之后，在所述衬底(201)的表面(203)上执行化学机械抛光工艺，以形成平坦的表面。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述籽晶材料包括以下一种或多种材料：ta、tan、cu、ti、tin、cr和nife。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在所述挖深部(401)的所述底部(403)上沉积所述导电籽晶材料，使得所述挖深部(401)的所述底部...

【专利技术属性】
技术研发人员：H·韦伯，J·赖因穆特，C·克普尔尼克，
申请(专利权)人：罗伯特·博世有限公司，
类型：发明
国别省市：

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