完全可控型功率半导体开关组件、功率半导体器件、无缓冲器型功率转换器和制造方法技术

本公开涉及一种完全可控型功率半导体开关组件（40），其包括：第一单元（51、61、71），其包括由第一栅极端子（44）控制的锁存型功率半导体开关器件（41）；第二单元（52、62、72），其包括由第二栅极端子（45）控制的非锁存型功率半导体开关器件（42）；以及功率半导体二极管（43）。锁存型功率半导体开关器件（41）和非锁存型功率半导体开关器件（42）相对于由开关组件（40）切换的电流以并联配置来连接。功率半导体二极管（43）相对于由开关组件（40）切换的电流以反并联配置来连接。本公开还提供了一种功率半导体器件（100）、一种无缓冲器型功率转换器和一种用于制造无缓冲器型功率转换器的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及一种完全可控型功率半导体开关组件，其包括锁存型功率半导体开关器件、非锁存型功率半导体开关器件和功率半导体二极管。本公开还涉及一种功率半导体器件，其包括绝缘壳体封装件、非锁存型功率半导体开关器件和功率半导体二极管。本专利技术还涉及一种无缓冲器型功率转换器以及一种用于制造功率转换器的方法。

技术介绍

1、在功率半导体器件领域，可关断功率半导体器件（诸如，栅极可关断（gto）晶闸管、特别是集成栅极换流晶闸管（igct））是已知的。此类功率半导体器件对各种应用均有用，特别是对功率转换器（诸如，例如在输电网络或电动车辆中使用的逆变器）。

2、图1示出了用于切换高电压和/或大电流的第一开关电路10的简化电路图。图1中所示的电路10基于两个开关元件11（诸如，一对gto晶闸管），这两个开关元件连接到公共中心节点12以形成开关桥的两个半部。图1的开关元件11在施加适当的接通（通常为正）栅控信号时变为导通的。只要有足够的电流流过gto晶闸管11或者提供适当的切断（通常为负）栅控信号，它们就保持为导通的。

3、图1中所示的开关电路10的关断需本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种完全可控型功率半导体开关组件（40），其包括：

2.根据权利要求1所述的开关组件（40），其中，所述半导体二极管（43）被集成到所述第二单元（72）中，所述半导体二极管（43）特别地作为二极管结构（48）被集成到所述非锁存型功率半导体开关器件（42）的壳体中。

3. 根据权利要求1所述的开关组件（40），其中，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的开关组件（40），其中，

5. 根据权利要求1至4中任一项所述的开关组件（40），其中，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的开关组件（40），其中，所述锁存型功率半导体开关器...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种完全可控型功率半导体开关组件（40），其包括：

2.根据权利要求1所述的开关组件（40），其中，所述半导体二极管（43）被集成到所述第二单元（72）中，所述半导体二极管（43）特别地作为二极管结构（48）被集成到所述非锁存型功率半导体开关器件（42）的壳体中。

3. 根据权利要求1所述的开关组件（40），其中，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的开关组件（40），其中，

5. 根据权利要求1至4中任一项所述的开关组件（40），其中，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的开关组件（40），其中，所述锁存型功率半导体开关器件（41）包括至少一个集成栅极换流晶闸管igct结构（46）。

7.一种功率半导体器件（100），特别是用于根据权利要求1至6中任一项所述的开关组件（40），所述功率半导体器件（100）包括：

8.根据权利要求7所述的功率半导体器件（100），其中，所述非锁存型功率半导体开关器件（42）和所述功率半...

【专利技术属性】
技术研发人员：T·维克斯特罗，HG·埃克尔，
申请(专利权)人：日立能源有限公司，
类型：发明
国别省市：