多芯片集成的光电传感器及其制造方法、FT测试方法技术

本发明专利技术公开了一种多芯片集成的光电传感器及其制造方法、FT测试方法，属于集成电路技术领域，该多芯片集成的光电传感器，包括图像传感器芯片，图像传感器芯片的正面具有感光区域和边缘区域，感光区域上设置透光构件，用于滤除干扰光，边缘区域有多个正面焊盘，用于电信号传输；光源芯片，光源芯片的顶部设置有发光区，底部设置有第一底部焊盘和第二底部焊盘，用于和图像传感器芯片的两个正面焊盘分别连通；RDL重构布线层，贯穿图像传感器芯片，以将图像传感器芯片正面的电信号传递至背面。通过将光源芯片直接芯片键合至CMOS图像传感器表面，大大缩小产品在X、Y和Z方向的尺寸，满足终端产品对于尺寸的需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路，特别涉及一种多芯片集成的光电传感器及其制造方法、ft测试方法。

技术介绍

1、多芯片集成的光学传感器，除了cis(cmos image sensor)图像传感器，还集成了发光光源芯片，一般情况下，这种多芯片集成的光学传感器采用pcb基板作为载板，cis芯片及发光光源芯片都通过die bond（芯片键合）贴片在pcb基板上，通过wire bond打线工艺将cis芯片的焊盘及发光光源芯片的焊盘与pcb基板的焊盘进行连接，如图1所示现有光电传感器100，此种封装形式的局限性在于：

2、由于采用pcb基板102作为z方向有一定厚度的载板，且载板需要金属制版及保护层，同时需要考虑载板的翘曲便于封装工艺量产的高良率及稳定性，故载板要有一定的厚度支撑。

3、y方向为垂直于纸面的方向，pcb基板102在x、y方向需考虑发光光源芯片108尺寸、cis芯片106尺寸、wire bond104打线空间以及光学封装盖板103支撑。

4、又，发光光源芯片108及cis芯片106大多为标准化产品，只能采用pcb基板102作为本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多芯片集成的光电传感器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的多芯片集成的光电传感器，其特征在于，所述第一底部焊盘表面和图像传感器芯片的第一正面焊盘表面相连，所述第二底部焊盘表面和所述图像传感器芯片的第二正面焊盘表面相连，并且所述第二正面焊盘通过TSV工艺将电信号导出至所述图像传感器芯片的背面，在所述图像传感器芯片的背面形成有BGA/LGA焊盘。

3.根据权利要求2所述的多芯片集成的光电传感器，其特征在于，所述RDL重构布线层位于所述图像传感器芯片背面的一端连接所述BGA/LGA焊盘，且所述RDL重构布线层和所述图像传感器芯片之间还设置有内部绝缘层，...

【技术特征摘要】

1.一种多芯片集成的光电传感器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的多芯片集成的光电传感器，其特征在于，所述第一底部焊盘表面和图像传感器芯片的第一正面焊盘表面相连，所述第二底部焊盘表面和所述图像传感器芯片的第二正面焊盘表面相连，并且所述第二正面焊盘通过tsv工艺将电信号导出至所述图像传感器芯片的背面，在所述图像传感器芯片的背面形成有bga/lga焊盘。

3.根据权利要求2所述的多芯片集成的光电传感器，其特征在于，所述rdl重构布线层位于所述图像传感器芯片背面的一端连接所述bga/lga焊盘，且所述rdl重构布线层和所述图像传感器芯片之间还设置有内部绝缘层，所述rdl重构布线层位于所述图像传感器芯片背面的一端上还覆盖有表面绝缘层。

4.根据权利要求1所述的多芯片集成的光电传感器，其特征在于，所述透光构件为滤光片或透镜，所述盖板结构为设置在所述边缘区域上的若干立柱。

5.根据权利要求3所述的多芯片集成的光电传感器，其特征在于，所述bga/...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨海明，王腾，
申请(专利权)人：苏州多感科技有限公司，
类型：发明
国别省市：