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本发明公开了一种多芯片集成的光电传感器及其制造方法、FT测试方法，属于集成电路技术领域，该多芯片集成的光电传感器，包括图像传感器芯片，图像传感器芯片的正面具有感光区域和边缘区域，感光区域上设置透光构件，用于滤除干扰光，边缘区域有多个正面焊盘...
该专利属于苏州多感科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州多感科技有限公司授权不得商用。

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