一种基于干法刻蚀改善金属刻蚀残留的方法技术

本发明专利技术涉及半导体功率器件制造技术领域，公开了一种基于干法刻蚀改善金属刻蚀残留的方法。该方法包括：步骤S1：提供衬底层；步骤S2：在衬底层上沉积一层停止层，并通过光刻工艺在停止层上形成衬底层上的图形，作为第一图形；步骤S3：第一图形经过湿法刻蚀到衬底层；步骤S4：采用湿法工艺去除步骤S2的光刻胶后，在停止层上沉积金属复合层，并通过光刻工艺在金属复合层上形成衬底层上的图形，作为第二图形；步骤S5：对金属复合层进行金属刻蚀，并以停止层作为刻蚀终点，其中，金属刻蚀的偏置功率为200‑250W，三氯化硼气体流量为40‑50sccm。通过上述方式，本发明专利技术能够有效解决在刻蚀过程中金属残留问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体功率器件制造，特别是涉及一种基于干法刻蚀改善金属刻蚀残留的方法。

技术介绍

1、随着半导体技术的飞速发展，刻蚀技术已经成为碳化硅功率器件制造中至关重要的技术。干法刻蚀技术作为一种拥有众多优点的刻蚀技术，已被广泛应用于高精度半导体器件制造领域。

2、然而，在半导体功率器件制造中，干法刻蚀常常存在各种各样的异常问题，影响刻蚀形貌与器件可靠性。如金属残留是一种典型的严重缺陷，产生现象表现为结构层底部出现密集排列的毛刺状的金属残留，严重影响刻蚀底部的形貌与深度的均匀性，从而影响器件电性能，可能导致短路、漏电等问题，影响电路的正常工作。

技术实现思路

1、本专利技术提供一种基于干法刻蚀改善金属刻蚀残留的方法，能够有效改善在刻蚀过程中的金属残留问题。

2、为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种基于干法刻蚀改善金属刻蚀残留的方法，包括：

3、步骤s1：提供衬底层；

4、步骤s2：在所述衬底层上沉积一层停止层，并通过光刻工艺在所述停止层本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于干法刻蚀改善金属刻蚀残留的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的基于干法刻蚀改善金属刻蚀残留的方法，其特征在于，所述衬底层为6寸的N型或P型晶圆片，所述晶圆片为硅晶圆片或碳化硅晶圆片。

3.根据权利要求1所述的基于干法刻蚀改善金属刻蚀残留的方法，其特征在于，所述停止层为厚度为1um的二氧化硅膜层。

4.根据权利要求1所述的基于干法刻蚀改善金属刻蚀残留的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述光刻工艺包括涂覆光刻胶、曝光及显影的步骤，其中，所述光刻胶的厚度为1.3um。

5.根据权利要求1所述的基于干法刻蚀改善金属刻蚀...

【技术特征摘要】

1.一种基于干法刻蚀改善金属刻蚀残留的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的基于干法刻蚀改善金属刻蚀残留的方法，其特征在于，所述衬底层为6寸的n型或p型晶圆片，所述晶圆片为硅晶圆片或碳化硅晶圆片。

3.根据权利要求1所述的基于干法刻蚀改善金属刻蚀残留的方法，其特征在于，所述停止层为厚度为1um的二氧化硅膜层。

4.根据权利要求1所述的基于干法刻蚀改善金属刻蚀残留的方法，其特征在于，在所述步骤s2中，所述光刻工艺包括涂覆光刻胶、曝光及显影的步骤，其中，所述光刻胶的厚度为1.3um。

5.根据权利要求1所述的基于干法刻蚀改善金属刻蚀残留的方法，其特征在于，在所述步骤s4中，所述光刻工艺包括涂覆光刻胶、曝光及显影的步骤，其中，所述光刻胶的厚度为5.0um。

6.根据权利要求1所述的基于干法刻蚀改善金属刻蚀残留的方法，其特征在于，所述金属复合层包括从上至下依次叠设...

【专利技术属性】
技术研发人员：温巧艺，罗岷，汪之涵，温正欣，张学强，张昊，
申请(专利权)人：深圳基本半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：