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本发明涉及半导体功率器件制造技术领域，公开了一种基于干法刻蚀改善金属刻蚀残留的方法。该方法包括：步骤S1：提供衬底层；步骤S2：在衬底层上沉积一层停止层，并通过光刻工艺在停止层上形成衬底层上的图形，作为第一图形；步骤S3：第一图形经过湿法刻...
该专利属于深圳基本半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳基本半导体股份有限公司授权不得商用。

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