【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及单晶生长所用装置领域，特别涉及一种单晶炉掺杂装置、单晶炉及掺杂方法。
技术介绍
1、直拉法生产易挥发掺杂元素硅单晶时，易挥发掺杂元素如锑、砷等掺杂料投入单晶炉中后，在高温下具有挥发性，在长时间的高温拉晶过程中，掺杂元素的挥发会使熔体中掺杂元素浓度逐渐降低，致使生长出的单晶硅沿轴向电阻率不断上升，造成电阻率不均匀，严重影响单晶硅的品质和性能。
2、传统的掺杂剂添加方法主要有共熔法和投入法。共熔法是将掺杂料与多晶硅一起投入石英坩埚内熔化，即与硅料一同倒入硅液中，因固态硅密度小于液态硅，未熔化的固态硅漂浮于硅液表面，使得掺杂料处于硅液上方，在直拉法单晶生长时，氩气在硅液上方吹拂，极易将挥发的掺杂剂带出炉外，大幅增加了掺杂剂的挥发比例，导致产出的产品品质不合格。
3、投入法是将多晶硅在石英坩埚内完全熔化后，将掺杂料通过掺杂工具投入到石英坩埚内熔化，实现掺杂的目的。例如公告号为cn221971738u的中国专利公开了一种易清洁安全的掺杂装置 ，该掺杂装置包括钟罩和容杯，容杯挂在钟罩内的支撑杆上。这种钟罩与容杯...
【技术保护点】
1.一种单晶炉掺杂装置，包括隔离罩（1）和盛料容器（2）；其特征在于，所述盛料容器（2）顶部开口设置连接架（3），连接架（3）顶部设置连接部（4），盛料容器（2）底部设置排液孔（201）；所述隔离罩（1）底部开口，顶部设置连接通孔（101）；组装时，所述盛料容器（2）的连接部（4）穿过隔离罩（1）上连接通孔（101）；所述连接部（4）上设置连接结构。
2.根据权利要求1所述的单晶炉掺杂装置，其特征在于，所述连接部（4）呈圆柱形，其上设置外螺纹；隔离罩（1）顶部的连接通孔（101）设置内螺纹；连接部（4）与连接通孔（101）螺纹连接。
3.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种单晶炉掺杂装置，包括隔离罩（1）和盛料容器（2）；其特征在于，所述盛料容器（2）顶部开口设置连接架（3），连接架（3）顶部设置连接部（4），盛料容器（2）底部设置排液孔（201）；所述隔离罩（1）底部开口，顶部设置连接通孔（101）；组装时，所述盛料容器（2）的连接部（4）穿过隔离罩（1）上连接通孔（101）；所述连接部（4）上设置连接结构。
2.根据权利要求1所述的单晶炉掺杂装置，其特征在于，所述连接部（4）呈圆柱形，其上设置外螺纹；隔离罩（1）顶部的连接通孔（101）设置内螺纹；连接部（4）与连接通孔（101）螺纹连接。
3.根据权利要求1所述的单晶炉掺杂装置，其特征在于，所述连接部（4）上螺纹连接螺纹连接盖（14），所述螺纹连接盖（14）中央设置螺纹通孔，螺纹连接盖（14）套设在穿过连接通孔（101）的连接部（4）上，螺纹连接盖（14）与连接部（4）上的外螺纹螺纹连接。
4.根据权利要求3所述的单晶炉掺杂装置，其特征在于，所述隔离罩（1）顶面、连接通孔（101）顶部开口边缘设置环形的密封槽（103），密封槽（103）内安装环形的密封片（15），密封片（15）被螺纹连接盖（14）压在密封槽（103）内；或者使用陶瓷纤维绳紧密缠绕在连接部（4）上，之后通过螺纹连接盖（14）将陶瓷纤维绳压紧在密封槽（103）内。
5.根据权利要求1所述的单晶炉掺杂装置，其特征在于，所述连接部（4）侧面设置贯穿连接部（4）的插接通孔（401）；组装时，插接通孔（401）位于连接通孔（101）处，插接通孔（401）一部分位于连接通孔（101）内，一部分向上超出连接通孔（101），插接通孔（401）超出部分插入插销件（16），插销件（16）两端超出连接通孔（101），且插销件（16）压在隔离罩（1）顶部。
6.根据权利要求1所述的单晶炉掺杂装置，其特征在于，所述连接架（3）由第一连接杆（301）和第一连接座（302）组成，第一连接座（302）上设置连接部（4）；组装时，盛料容器（2）顶部的连接部（4）穿过隔离罩（1）顶部的连接通孔（101），第一连接座（302）盖住连接通孔（101）；连接后的盛料容器（2）悬挂在隔离罩（1）内部中央，且盛料容器（2）底部距离隔离罩（1）底部边缘的距离为l1，l1为5cm-15cm；所述隔离罩（1）底部边缘开设散热口（102）；掺杂时，隔离罩（1）底部散热口（102）部分浸入硅液中；所述盛...
【专利技术属性】
技术研发人员：王鹏，高贻刚，汪沛渊，汪高峰，李一得，张林儿，冷伟，徐明喜，苏明，
申请(专利权)人：鄂尔多斯市中成榆能源有限公司，
类型：发明
国别省市：
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