一种提高金刚石单晶晶体质量的方法技术

技术编号:46587108 阅读:0 留言:0更新日期:2025-10-10 21:23
本发明专利技术公开了一种提高金刚石单晶晶体质量的方法,本发明专利技术涉及金刚石制备技术领域,包括设定MPCVD基础生长参数,建立初始温度场,引入动态温度调制机制,通过温度波动程序打破静态温度场局限性,本发明专利技术的优点在于:通过动态温度调制机制引入周期性温度波动,结合沉积室外部施加的交变磁场实现等离子体均匀分布,再配合脉冲式辅助气体注入模式,有效解决了现有MPCVD工艺中温度场分布不均匀导致晶体内部应力集中的问题,动态温度波动促使晶体应力周期性释放,交变磁场优化温度场均匀性,脉冲气体注入减少杂质偏析并促进原子重排,多手段协同作用降低了晶体微裂纹产生概率,最终实现了金刚石单晶热应力的显著衰减。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及金刚石制备,具体为一种提高金刚石单晶晶体质量的方法


技术介绍

1、金刚石作为一种具有优异物理化学性质的超硬材料,其莫氏硬度高达10,是自然界已知硬度最高的物质,同时具备极高的热导率、良好的光学透明性、优异的电学绝缘性及化学稳定性,这些独特性能使金刚石在多个领域展现出重要应用价值,在工业领域,其被广泛用于制作高精度切削刀具、磨料磨具等,在光学领域,金刚石可作为紫外到红外波段的高透光光学窗口材料,适用于极端环境下的光学器件,在半导体领域,金刚石因其宽带隙、高电子迁移率等特性,成为制备高频、高温、大功率电子器件的理想衬底材料,同时在量子计算、散热模块等前沿领域也具有广阔的应用前景;

2、现有技术存在一定的缺陷,现有技术中持续通入氧气会刻蚀金刚石单晶表面,增加缺陷密度,改变生长模式,降低晶体质量,其次,现有mpcvd工艺中温度场分布不均匀,导致晶体内部应力集中,产生微裂纹,影响机械强度和光学性能,为此,我们提出一种提高金刚石单晶晶体质量的方法。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种提高金刚石单晶晶体质量的方法,包括提高质量方法,其特征在于,所述提高质量方法包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种提高金刚石单晶晶体质量的方法,其特征在于:所述步骤一中,将金刚石单晶籽晶依次放入无水乙醇、丙酮、无水乙醇中进行超声清洗,每次清洗时间为10min-30min,清洗后用高纯氮气吹干,同时,检查沉积室的密封性,确保微波电源、温度控制系统、气体流量控制器、压力传感器及冷却系统运行正常。

3.根据权利要求1所述的一种提高金刚石单晶晶体质量的方法,其特征在于:所述步骤二中,设定微波功率为8kW-12kW,工作压力维持在18kPa-26kPa,初始生...

【技术特征摘要】

1.一种提高金刚石单晶晶体质量的方法,包括提高质量方法,其特征在于,所述提高质量方法包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种提高金刚石单晶晶体质量的方法,其特征在于:所述步骤一中,将金刚石单晶籽晶依次放入无水乙醇、丙酮、无水乙醇中进行超声清洗,每次清洗时间为10min-30min,清洗后用高纯氮气吹干,同时,检查沉积室的密封性,确保微波电源、温度控制系统、气体流量控制器、压力传感器及冷却系统运行正常。

3.根据权利要求1所述的一种提高金刚石单晶晶体质量的方法,其特征在于:所述步骤二中,设定微波功率为8kw-12kw,工作压力维持在18kpa-26kpa,初始生长温度为1050℃-1250℃,并启动设备使沉积室形成稳定的初始温度场,在此基础上,引入动态温度调制机制:每生长1h-1.5h,启动温度波动程序,使温度在1080℃-1150℃范围内以5℃/min-6℃/min的速率线性升降,形成周期的温度波动,升温15min→保温10min→降温15min。

4.根据权利要求1所述的一种提高金刚石单晶晶体质量的方法,其特征在于:所述步骤三中,向沉积室内通入氢气和甲烷作为主要反应气体,其中氢气流量为500sccm-800sccm,甲烷流量为75sccm-100sccm,持续通入以在沉积室中形成稳定的等离子体环境。

5.根据权利要求1所述的一种提高金刚石单晶晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员:高豪吴志坚陈建生王昌明
申请(专利权)人:无锡光钻半导体科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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