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本发明公开了一种提高金刚石单晶晶体质量的方法，本发明涉及金刚石制备技术领域，包括设定MPCVD基础生长参数，建立初始温度场，引入动态温度调制机制，通过温度波动程序打破静态温度场局限性，本发明的优点在于：通过动态温度调制机制引入周期性温度波动...
该专利属于无锡光钻半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡光钻半导体科技有限公司授权不得商用。

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