一种硅片用复合型抛光液及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种硅片用复合型抛光液及其制备方法，属于硅片加工技术领域。所述抛光液包括复合磨料10~30份，磷脂1~8份，氧化剂0.1~1份，过氧化氢0.01~0.05份，脂肪醇聚氧乙烯醚0.1~1份，pH值调节剂0.01~3份，水80~100份；其中，所述复合磨料包括内核层，中间包覆层以及表面修饰层，所述内核层为硅基颗粒，所述中间包覆层为铝包覆层，所述表面修饰层为纳米金属氧化物颗粒；以复合磨料为基体，所述内核层，中间包覆层以及表面修饰层的体积比为60~75%：15~25%：5~15%。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于硅片加工，涉及一种硅片用复合型抛光液及其制备方法。

技术介绍

1、在半导体制造领域，硅片表面抛光是决定芯片性能的关键工序之一。传统抛光液多采用单一磨料体系，如氧化铝、二氧化硅，存在机械磨削与化学腐蚀作用失衡的问题：硬质磨料易导致硅片表面划伤，而软质磨料则抛光效率低下，难以满足高精度、低损伤的加工需求。此外，单一磨料与硅片表面的相互作用单一，无法兼顾抛光速率与表面平整度，尤其在纳米级加工中，传统抛光液易引发表面粗糙度超标、亚表面损伤层过厚等问题。

2、现有技术中，部分复合抛光液通过混合不同粒径或类型的磨料以改善性能，但存在磨料分散性差、易团聚的缺陷，导致抛光均匀性不足。同时，化学组分与磨料的协同作用机制不明确，难以实现抛光过程的精准控制。

3、基于此，亟需开发一种兼具高抛光效率、低表面损伤及优异分散稳定性的复合型抛光液，通过结构设计与组分优化实现机械-化学协同抛光，满足先进半导体制造对硅片表面质量的严苛要求。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种硅片用复合型抛光液本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种硅片用复合型抛光液，其特征在于，按质量份数计，所述抛光液包括复合磨料10~30份，磷脂1~8份，氧化剂0.1~1份，过氧化氢0. 01~0.05份，脂肪醇聚氧乙烯醚0.1~1份，pH值调节剂0.01~3份，水80~100份；

2.根据权利要求1所述的一种硅片用复合型抛光液，其特征在于，所述复合磨料的制备包括如下步骤：

3.根据权利要求1所述的一种硅片用复合型抛光液，其特征在于，所述磷脂为卵磷脂、磷脂酰甘油、缩醛磷脂中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的一种硅片用复合型抛光液，其特征在于，所述氧化剂为铁氰化钾、高锰酸钾、硫酸钾中的至少一种。...

【技术特征摘要】

1.一种硅片用复合型抛光液，其特征在于，按质量份数计，所述抛光液包括复合磨料10~30份，磷脂1~8份，氧化剂0.1~1份，过氧化氢0. 01~0.05份，脂肪醇聚氧乙烯醚0.1~1份，ph值调节剂0.01~3份，水80~100份；

2.根据权利要求1所述的一种硅片用复合型抛光液，其特征在于，所述复合磨料的制备包括如下步骤：

3.根据权利要求1所述的一种硅片用复合型抛光液，其特征在于，所述磷脂为卵磷脂、磷脂酰甘油、缩醛磷脂中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的一种硅片用复合型抛光液，其特征在于，所述氧化剂为铁氰化钾、高锰酸钾、硫酸钾中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的一种硅片用复合型抛光液，其特征在于，所述ph值调节剂为羟乙基乙二胺、三乙醇胺、三乙烯二胺、四甲基乙二胺、四羟乙基乙...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘小平，
申请(专利权)人：华挺纳米科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：