【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别涉及一种虚拟晶圆三维模型生成方法、设备、介质及程序产品。
技术介绍
1、在半导体晶圆的制造过程中，为了验证新的工艺流程、工艺配方或掩膜版图案的有效性，通常需要通过实际生产一批晶圆进行测试与分析。这种方式虽然可以获得较为准确的工艺效果信息，但也存在诸多不足。
2、一方面，晶圆的试产过程需耗费大量的材料、人力及生产资源，导致成本显著上升；另一方面，实体制造通常伴随着流程复杂、周期较长的问题，不利于快速迭代与优化。此外，在实际晶圆完成之前，难以及时发现工艺参数或图形设计中可能存在的问题，从而影响工艺开发效率。
3、造成上述问题的根本原因在于，现有技术依赖真实晶圆的生产与量测，缺乏一种能够提前模拟晶圆结构变化的有效手段。因此，如何设计一种无需实际试产、即可在虚拟环境中构建晶圆三维模型，以用于工艺验证的技术方案，成为本领域亟待解决的问题。
技术实现思路
1、针对现有技术存在的不足，本申请提供一种虚拟晶圆三维模型生成方法、设备、介质及程序产品，以至少解决现...
【技术保护点】
1.一种虚拟晶圆三维模型生成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的虚拟晶圆三维模型生成方法，其特征在于，所述按照预设的工艺流程，依次读取每一道工艺步骤，并基于所述工艺步骤确定晶圆三维模型的调整方式和调整区域的步骤，包括：
3.根据权利要求2所述的虚拟晶圆三维模型生成方法，其特征在于，对于涉及图案加工的步骤，还包括：读取掩膜版图像，确定晶圆三维模型中需进行调整的区域，具体包括：
4.根据权利要求2所述的虚拟晶圆三维模型生成方法，其特征在于，所述光刻步骤中，如果所述光刻胶为正胶时，根据所述掩膜版图像中透明区域确定去除区域，如...
【技术特征摘要】
1.一种虚拟晶圆三维模型生成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的虚拟晶圆三维模型生成方法，其特征在于，所述按照预设的工艺流程，依次读取每一道工艺步骤，并基于所述工艺步骤确定晶圆三维模型的调整方式和调整区域的步骤，包括：
3.根据权利要求2所述的虚拟晶圆三维模型生成方法，其特征在于，对于涉及图案加工的步骤，还包括：读取掩膜版图像，确定晶圆三维模型中需进行调整的区域，具体包括：
4.根据权利要求2所述的虚拟晶圆三维模型生成方法，其特征在于，所述光刻步骤中，如果所述光刻胶为正胶时，根据所述掩膜版图像中透明区域确定去除区域，如果所述光刻胶为负胶时，根据所述掩膜版图像中不透明区域确定去除区域。
5.根据权利要求1所述的虚拟晶圆三维模型生成方法，其特征在于，所述结合当前工艺步骤所对应的工艺配方参数和历史量测数据，确定晶圆三维模型的调整幅度的步骤，包括：
...【专利技术属性】
技术研发人员：张飞，孙子孝，
申请(专利权)人：上海朋熙半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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