【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及有机无机杂化钙钛矿材料,具体涉及钙钛矿薄膜的制备工艺优化及其太赫兹光谱特性研究,尤其适用于太赫兹调制器、探测器、滤波器等太赫兹功能器件的设计与制备。
技术介绍
1、有机无机杂化钙钛矿材料因具有高光吸收系数、长载流子扩散长度、可调带隙等优异光电性能,在太阳能电池、光电探测器、发光二极管等领域已展现出巨大应用潜力。近年来,随着太赫兹技术的快速发展,其在通信、成像、生物医学等领域的应用需求日益迫切,但高性能太赫兹材料的缺乏成为制约其发展的关键瓶颈。
2、有机无机杂化钙钛矿薄膜因在太赫兹波段具有高介电常数、低损耗等特性,为开发新型太赫兹器件(如调制器、探测器、滤波器)提供了新思路。现有研究中,方睿虔团队证实了杂化钙钛矿的载流子动力学特性及其在太赫兹波段的响应;任婕团队通过太赫兹时域光谱研究了二维钙钛矿(pea)2(ma)2pb3i10薄膜的光电性能,发现其高折射率和光电导率;史昀祺团队利用钙钛矿薄膜构建了超宽带可调谐太赫兹吸波器,实现了3.1-6.9thz频段的高效吸收。
3、然而,钙钛矿薄膜的制备工艺(尤
...【技术保护点】
1.一种有机无机杂化钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述旋涂工艺的最优转速为1500rpm。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述(PEA)2PbI4前驱体溶液的制备包括:
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述搅拌的速率为800rpm,搅拌温度为25±2℃。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述旋涂后的薄膜经退火处理,所述退火温度为80℃。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述1.5THz处
...【技术特征摘要】
1.一种有机无机杂化钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述旋涂工艺的最优转速为1500rpm。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述(pea)2pbi4前驱体溶液的制备包括:
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述搅拌的速率为800rpm,搅拌温度为25±2℃。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述旋涂后的薄膜经退火处理,所述退火温度为80℃。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述1.5thz处的吸收系数为37-39cm-1。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈宁,立凡闪,郭钢祥,张瑞环,葛祺炀,王超,郭斌,王瑛辉,宋效先,沈伟,
申请(专利权)人:浙江省质量科学研究院,
类型:发明
国别省市:
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