【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及存储，尤其涉及一种基于寄存器的双端口存储器电路。
技术介绍
1、在集成电路芯片中，片上存储器可用于缓存数据；其按结构可以划分为单端口存储器和双端口存储器，单端口存储器只有一个端口，同一时刻只能进行读或写操作，双端口存储器具有两个端口，分别为端口a和端口b，各自具有独立的时钟线，地址线，读写使能控制线以及读写数据线，在同一时刻支持读和写同时操作。其中，双端口存储器按读写功能划分可分为伪双端口存储器和真双端口存储器，伪双端口存储器的端口a只支持写入数据，而不支持读出数据，端口b只支持读出数据，而不支持写入数据；真双端口存储器的端口a和端口b既能写入数据，也能读出数据。
2、随着集成电路芯片越来越复杂，通常划分为多个时钟域，不同时钟域下的数据交换通常会使用双端口存储器进行跨时钟域的数据交换，片上存储器一般由芯片制造厂商作为ip提供，但存在制造厂商提供的片上存储器在选定的工艺节点下无法满足需求的情况，如有的制造厂商提供的片上存储器在使用时有最低存储容量限制，低于该存储容量则无法使用，或使用代价过高。
【技术保护点】
1.一种基于寄存器的双端口存储器电路，其特征在于，所述基于寄存器的双端口存储器电路包括：
2.根据权利要求1所述的基于寄存器的双端口存储器电路，其特征在于，所述存储器基本单元包括：
3.根据权利要求2所述的基于寄存器的双端口存储器电路，其特征在于，所述第一多比特寄存器、第二多比特寄存器及第三多比特寄存器为n比特位宽的寄存器。
4.根据权利要求2所述的基于寄存器的双端口存储器电路，其特征在于，所述同步单元包括多路选择器、第一单比特寄存器、第二单比特寄存器、第一同步器、第二同步器、第一反相器、第二反相器及与门电路，所述第一同步器分别与所...
【技术特征摘要】
1.一种基于寄存器的双端口存储器电路，其特征在于，所述基于寄存器的双端口存储器电路包括：
2.根据权利要求1所述的基于寄存器的双端口存储器电路，其特征在于，所述存储器基本单元包括：
3.根据权利要求2所述的基于寄存器的双端口存储器电路，其特征在于，所述第一多比特寄存器、第二多比特寄存器及第三多比特寄存器为n比特位宽的寄存器。
4.根据权利要求2所述的基于寄存器的双端口存储器电路，其特征在于，所述同步单元包括多路选择器、第一单比特寄存器、第二单比特寄存器、第一同步器、第二同步器、第一反相器、第二反相器及与门电路，所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：李健宁，罗明，
申请(专利权)人：合肥市芯璨科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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