一种星用MOSFET浪涌抑制电路参数设计方法技术

本申请提供了一种星用MOSFET浪涌抑制电路参数设计方法，包括：在MOSEFT器件的栅极和源极之间增加电容C1，在MOSEFT器件的栅极输入端增加限流电阻R5；根据基尔霍夫定理和电容的电压与电流关系公式得到电容C1两端电压表达式，建立栅极电压到MOSEFT导通的时间数学模型；根据浪涌电流的最大值、载荷母线电压和滤波电容估计浪涌电流的持续时间；计算星用MOSFET栅极驱动电路的分压电阻参数；计算电容C1参数。本申请的优势在于：该方法使MOSEFT浪涌抑制电路设计简单有效，并且很好的实现了浪涌电流抑制效果。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于航天载荷电路设计领域，具体涉及一种星用mosfet浪涌抑制电路参数设计方法。

技术介绍

1、由于星载载荷使用dc-dc电源和滤波模块，在母线电源上电瞬间会产生一个持续时间短且峰值较大的浪涌电流，这会制造成载荷设备不能正常工作甚至毁坏。在载荷母线端和滤波模块之间增加浪涌抑制电路不仅可以增加浪涌电流的过渡时间，还可以抑制浪涌电流的峰值，使载荷可以正常工作，因此浪涌抑制电路设计是载荷电源供电不可或缺的环节。传统方法利用大电感串联电容或者scr配合电阻来抑制浪涌电流，这样不仅使电源的体积和重量增加，而且串联电阻造成电源转换效率降低，因此研究moseft(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor金属-氧化物-半导体场效应晶体管)浪涌抑制电路的分析和参数设计方法具有重要意义。

技术实现思路

1、本申请的目的在于克服星载载荷母线上电瞬间出现浪涌电流会对载荷造成严重危害的问题。

2、为了实现上述目的，本申请提出了一种星用mosfet浪涌抑制电路参本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种星用MOSFET浪涌抑制电路参数设计方法，所述MOSFET浪涌抑制电路包括MOSEFT器件和四个分压电阻R1、R2、R3和R4；其中，

2.根据权利要求1所述的星用MOSEFT浪涌抑制电路参数设计方法，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的星用MOSEFT浪涌抑制电路参数设计方法，其特征在于：

4.根据权利要求1所述的星用MOSEFT浪涌抑制电路参数设计方法，其特征在于：

5.根据权利要求1所述的星用MOSEFT浪涌抑制电路参数设计方法，其特征在于：

6.根据权利要求1所述的星用MOSEFT浪涌抑制电路参数设计方法，其特...

【技术特征摘要】

1.一种星用mosfet浪涌抑制电路参数设计方法，所述mosfet浪涌抑制电路包括moseft器件和四个分压电阻r1、r2、r3和r4；其中，

2.根据权利要求1所述的星用moseft浪涌抑制电路参数设计方法，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的星用moseft浪涌抑制电路参数设计方法，其特征在于：

4.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙阳，徐海涛，赵海肖，满峰，
申请(专利权)人：中国科学院国家空间科学中心，
类型：发明
国别省市：