【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体,尤其涉及一种半导体取放装置及测试分选机。
技术介绍
1、半导体快速平稳取放技术是高温转塔测试分选机高质量、高产量输出的重要基础。现有技术采用控制料盘移动来使料盘上的多个料槽向取料工位的输送,但是,半导体在料盘移动时并未固定放置于料槽内,在料盘高速移动时易出现半导体跳料、侧翻等现象,影响测试分选机高质量、高产量输出。
技术实现思路
1、有鉴于此,实有必要提供一种半导体取放装置及测试分选机,以将半导体稳定放置至可被驱动移动的料盘组件,并可从料盘组件中顺利取出稳定放置的半导体。
2、第一方面,本申请实施例提供一种半导体取放装置,所述半导体取放装置包括料盘组件、破真空组件和驱动组件,料盘组件包括若干料槽、连通于所述若干料槽的腔体、以及真空器件,每一料槽用于放置一个半导体;所述腔体内部设有与若干料槽一一对应的若干破真空喷嘴,每一破真空喷嘴连通相应料槽;所述真空器件连通于所述腔体,用于向所述每一料槽输出第一气体,所述第一气体用于对所述每一料槽进行抽真空并使半导体吸附于料槽
...【技术保护点】
1.一种半导体取放装置,其特征在于,所述半导体取放装置包括:
2.如权利要求1所述的半导体取放装置,其特征在于,所述每一料槽设有过气孔,每一过气孔与所述腔体一一连通,所述每一破真空喷嘴位于相应过气孔而连通相应料槽。
3.如权利要求2所述的半导体取放装置,其特征在于,所述料盘组件还包括用于支撑所述若干料槽的基座,所述基座与所述若干料槽之间形成所述腔体;所述基座设有若干沉孔,每一沉孔与所述腔体一一连通,且与若干过气孔一一对应;所述每一破真空喷嘴位于一组相应过气孔和相应沉孔而连通所述相应料槽和所述基座背离所述相应料槽的一侧。
4.如权利要
...【技术特征摘要】
1.一种半导体取放装置,其特征在于,所述半导体取放装置包括:
2.如权利要求1所述的半导体取放装置,其特征在于,所述每一料槽设有过气孔,每一过气孔与所述腔体一一连通,所述每一破真空喷嘴位于相应过气孔而连通相应料槽。
3.如权利要求2所述的半导体取放装置,其特征在于,所述料盘组件还包括用于支撑所述若干料槽的基座,所述基座与所述若干料槽之间形成所述腔体;所述基座设有若干沉孔,每一沉孔与所述腔体一一连通,且与若干过气孔一一对应;所述每一破真空喷嘴位于一组相应过气孔和相应沉孔而连通所述相应料槽和所述基座背离所述相应料槽的一侧。
4.如权利要求3所述的半导体取放装置,其特征在于,所述每一破真空喷嘴包括第一端和第二端,所述第二端紧密配合于所述相应沉孔,沿着所述过气孔的孔径方向,所述第一端与所述相应过气孔之间具有间距。
5.如权利要求4所述的半导体取放装置,其特征在于,所述每一料槽设有过气槽壁,所述每一过气孔位于相应过气槽壁;所述破真空喷嘴设有连通所述第一端和第二端的喷嘴通孔;沿着所述喷嘴通孔的设置方向,所述第一端未外露于所述相应过气槽壁。
6.如权利要求3所述的半导体取放装置,其特征在于,所述基座朝向所述若干...
【专利技术属性】
技术研发人员:林广满,黄金淼,高魁,谢翔飞,
申请(专利权)人:惠州深科达半导体科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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