【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种基板结构和基板结构的制作方法。
技术介绍
1、现有技术中，基板结构一般包括玻璃芯板以及位于玻璃芯板上下两个表面上的abf层和线路层。其中，玻璃芯板具有贯穿其上下表面的通孔，通孔内填充有铜，利用铜层实现上下信号的互通。
2、但是，铜层与玻璃芯板直接结合的界面在热应力作用下，容易发生分层失效的情况，影响后续封装的可靠性。
3、因此，如何降低铜层与玻璃芯板分层失效的概率，确保基板结构的可靠性是当前行业亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种基板结构和基板结构的制作方法，用于降低铜层与玻璃芯板分层失效的概率，确保基板结构的可靠性。
2、为了实现上述目的，第一方面，本专利技术提供了一种基板结构。该基板结构包括：玻璃芯板、金属氧化物层、导电层、第一线路层和组合层。玻璃芯板包括沿玻璃芯板厚度方向相对的两个表面；玻璃芯板具有沿玻璃芯板的厚度方向贯穿玻璃芯板的通孔。金属氧化物层形成在通孔的至少部分孔壁上。位于通...
【技术保护点】
1.一种基板结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，位于所述通孔内的所述金属氧化物层的厚度大于等于1微米且小于等于10微米。
3.根据权利要求2所述的基板结构，其特征在于，位于所述通孔内所述金属氧化物层的厚度大于等于1微米且小于等于5微米。
4.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，所述金属氧化物层完全覆盖所述通孔的孔壁，所述孔隙沿所述玻璃芯板的厚度方向贯穿所述玻璃芯板。
5.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，所述金属氧化物层还形成于所述玻璃芯板的至少一个表面上；
...
【技术特征摘要】
1.一种基板结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，位于所述通孔内的所述金属氧化物层的厚度大于等于1微米且小于等于10微米。
3.根据权利要求2所述的基板结构，其特征在于，位于所述通孔内所述金属氧化物层的厚度大于等于1微米且小于等于5微米。
4.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，所述金属氧化物层完全覆盖所述通孔的孔壁，所述孔隙沿所述玻璃芯板的厚度方向贯穿所述玻璃芯板。
5.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，所述金属氧化物层还形成于所述玻璃芯板的至少一个表面上；
6.根据权利要求1至5任一项所述的基板结构，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈钏，赵泉露，丁善军，王启东，赵静毅，于中尧，付融，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。