薄膜沉积方法及半导体工艺设备技术

本发明专利技术提供一种薄膜沉积方法及半导体工艺设备，涉及半导体技术领域。该薄膜沉积方法包括：沉积步，对基底执行预设的等离子体增强化学气相沉积工艺后，关闭高频射频功率，保持开启低频射频功率，并停止通入硅源气体；修复步，提升低频射频功率运行预设时长后，关闭低频射频功率。该薄膜沉积方法的修复步，在当前低频射频功率的基础上，将其提升至目标功率，能够有效分解当前薄膜上的颗粒物，以及有效分解工艺腔体内悬浮的颗粒物，从而减少薄膜中的颗粒物数目，减少薄膜颗粒缺陷，实现对薄膜表面形貌的精确调控，显著降低薄膜表面粗糙度，提高薄膜表面平整度和均匀性，进而确保后续加工得到成品的电性和良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种薄膜沉积方法及半导体工艺设备。

技术介绍

1、随着半导体器件特征尺寸的微缩，加工半导体器件的工艺过程中对每一道工序的稳定性、可控制性提出了更高的要求。薄膜沉积(deposition)工艺作为加工半导体器件的重要基础工艺，其形成薄膜的质量直接影响半导体器件的良率，如薄膜颗粒缺陷(particledefects)将导致栅极漏电、产生介质层击穿等可靠性问题。

2、等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition，pecvd)具有低温兼容性、高沉积速率与均匀性、复杂结构覆盖能力、材料与性能多样性的技术优势，主要应用于层间介质层(inter-layer dielectric，ild)、钝化保护层(passivation layer)等的沉积。相关技术通过pecvd工艺沉积薄膜的过程中，一般会在沉积步(dep)结束后，继续执行修复步，以对薄膜中产生的颗粒缺陷进行修复改善，然而相关技术中对颗粒缺陷的修复改善效果较弱，导致产品电性和良率仍有待提高。

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【技术保护点】

1.一种薄膜沉积方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的薄膜沉积方法，其特征在于，所述沉积步中，低频射频功率为100～1000W；所述修复步中，低频射频功率为200～1100W，且所述修复步的低频射频功率大于所述沉积步的低频射频功率。

3.根据权利要求2所述的薄膜沉积方法，其特征在于，所述沉积步中，低频射频功率为700～740W；所述修复步中，低频射频功率为750～800W。

4.根据权利要求1-3任一项所述的薄膜沉积方法，其特征在于，所述修复步中，提升低频射频功率的同时或之前，降低腔室压力至目标压力。

5.根据权利要求4所述的薄...

【技术特征摘要】

1.一种薄膜沉积方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的薄膜沉积方法，其特征在于，所述沉积步中，低频射频功率为100～1000w；所述修复步中，低频射频功率为200～1100w，且所述修复步的低频射频功率大于所述沉积步的低频射频功率。

3.根据权利要求2所述的薄膜沉积方法，其特征在于，所述沉积步中，低频射频功率为700～740w；所述修复步中，低频射频功率为750～800w。

4.根据权利要求1-3任一项所述的薄膜沉积方法，其特征在于，所述修复步中，提升低频射频功率的同时或之前，降低腔室压力至目标压力。

5.根据权利要求4所述的薄膜沉积方法，其特征在于，所述降低腔室压力至目标压力的步骤中，包括：

6.根据权利要求4所述的薄膜沉积方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：马瑞，刘达，
申请(专利权)人：北京集成电路装备创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：