温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种薄膜沉积方法及半导体工艺设备，涉及半导体技术领域。该薄膜沉积方法包括：沉积步，对基底执行预设的等离子体增强化学气相沉积工艺后，关闭高频射频功率，保持开启低频射频功率，并停止通入硅源气体；修复步，提升低频射频功率运行预设时长后，...
该专利属于北京集成电路装备创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京集成电路装备创新中心有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。