【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体射频器件领域，尤其涉及一种空腔型体声波谐振器及其制备方法。
技术介绍
1、随着第五代移动通信技术(5g)的快速发展，对射频前端滤波器的性能提出了更高的要求，大带宽，高频率是5g滤波器的两大特点。目前，应用最广泛的声学滤波器是声表面波滤波器(saw)和体声波滤波器(baw)。其中，声表面滤波器(saw)因其频率提高受限于插指电极尺寸，对于3ghz以上频段比较乏力。因此，5g体声波滤波器主要还是基于多晶氮化铝压电薄膜材料技术路线，而多晶氮化铝要想达到较大带宽(>200mhz)需要通过掺钪等手段来实现，成本高、工艺实现难度较大。
2、此外，现有的声波谐振器一般分为三种结构，背面刻蚀型、固态装配型和空腔型结构型，其中，背面刻蚀型的机械牢固性差，难以大规模量产。固态装配型虽然机械性能强，但其布拉格反射层限制声波的效果有限，导致品质因子较低。空腔型结构不用去除大量的衬底材料，因此机械稳定性强，且品质因子较高。目前空腔型结构一般有两种制备工艺，以使在衬底上形成内凹的空腔，然后再制备下电极、压电薄膜和上电极，这种工...
【技术保护点】
1.一种空腔型体声波谐振器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的空腔型体声波谐振器的制备方法，其特征在于，图形化后的填充层的外边缘与图形化后的下电极层的投影的外边缘之间的距离≤3μm；和/或
3.如权利要求1所述的空腔型体声波谐振器的制备方法，其特征在于，图形化后的填充层、图形化后的上电极层、图形化后的下电极层均为五边形；
4.如权利要求1所述的空腔型体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述临时衬底选用蓝宝石衬底、碳化硅衬底、氮化硅衬底或硅衬底中的一种或多种；和/或
5.如权利要求1所述的空腔型体...
【技术特征摘要】
1.一种空腔型体声波谐振器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的空腔型体声波谐振器的制备方法，其特征在于，图形化后的填充层的外边缘与图形化后的下电极层的投影的外边缘之间的距离≤3μm；和/或
3.如权利要求1所述的空腔型体声波谐振器的制备方法，其特征在于，图形化后的填充层、图形化后的上电极层、图形化后的下电极层均为五边形；
4.如权利要求1所述的空腔型体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述临时衬底选用蓝宝石衬底、碳化硅衬底、氮化硅衬底或硅衬底中的一种或多种；和/或
5.如权利要求1所述的空腔型体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述压电层由单晶氮化铝和/或单晶ε-氧化镓制成，其厚度为200nm～1000nm；和/或
【专利技术属性】
技术研发人员：王孟源，蒋将，章加奇，
申请(专利权)人：福建晶旭半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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